电子科技大学硕士研究生入学考试初试考试大纲 考试科目 832 微电子器件 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 180 分钟 考试总分 150 分 参考书目 《晶体管原理与设计》(第二版) 陈星弼 张庆中 电子工业出版社 一、总体要求 二、内容及比例 一维形式的半导体器件基本方程，基本方程的主要简化形式。 突变结与线性缓变结的定义，PN 结空间电荷区的形成，耗尽近似与中性近似，耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算，PN 结在正向及反向电压下载流子的运动情况、耗尽区宽度、能带图、少子分布图与伏安特性，反向饱和电流的计算及影响因素，正向导通电压，薄基区二极管的特点，大注入效应，PN 结的交流小信号参数与等效电路，势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点，PN结的开关特性与少子存储效应，PN 结雪崩击穿的机理，雪崩击穿电压的计算及影响因素，齐纳击穿的机理及特点，热击穿的机理及防止热击穿的措施。 双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图，基区输运系数的定义及计算、发射结注入效率的定义及计算、共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算，基区渡越时间的概念及计算，缓变基区晶体管的特点，小电流时电流放大系数的下降，发射区重掺杂效应，晶体管的直流电流电压方程，晶体管的直流输出特性曲线图，基区宽度调变效应，晶体管各种反向电流的定义与测量，各种击穿电压的定义与测量，基区穿通效应，方块电阻的概念及计算，晶体管的直流小信号参数，晶体管电流放大系数与频率的关系，组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数，高频晶体管特征频率的定义、计算与测量，高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响特征频率与功率增益的因素。 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的类型、基本结构与工作原理，MOSFET 阈电压的定义、计算与测量，影响阈电压的各种因素，阈电压的衬底偏置效应、MOSFET 在非饱和区的简化的直流电流电压方程，MOSFET 饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算，MOSFET 的直流输出特性曲线图，MOSFET 的有效沟道长度调制效应， MOSFET 的直流参数及其温度特性，MOSFET 的各种击穿电压，MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及其频率特性，MOSFET 跨导的定义与计算以及影响跨导的各种因素，MOSFET 的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。 三、题型及分值 主要题型：填空题、简述题、计算题 电子科技大学硕士研究生入学考试初试考试大纲 考试科目 复试...
