1电子科技行业的前沿技术集锦（2013年）一、复旦成功研发世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。2二、石墨烯新进展 神奇之碳再写神奇 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6三、意念控制的未来正在走近。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13四、全新液流电池 属于未来的电池。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15五、微型能量收集技术实现无电池应用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18六、集成电路突破半导体限制：不使用半导体的晶体管 VS 光子回路 。。。。。。。。。。。24七、植入大脑的微芯片可保存人们的大脑记忆内容。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26八、全新电阻式 RAM 技术问世 单芯片可存1TB 数据 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28九、“透明纸”将改变电子元器件未来。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30十、中 科 院 研 制 室 温 状 态 下 液 态 金 属 直 接 印 刷 电 子 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 362一、 复旦成功研发世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）北京时间2013年8月9日出版的最新一期《科学》杂志（Science）刊发了复旦大学微电子学院张卫团队最新科研论文，该团队提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果。据悉，当代集成电路科技的发展主要是基于摩尔定律，该定律是由英特尔公司创始人之一戈登?摩尔提出的：芯片上的晶体管特征尺寸在不断地缩小，使得芯片上的晶体管数量每隔18个月便会增加一倍。目前，集成电路的量产技术已发展到了22纳米技术节点，尽管我国在自主知识产权集成电路技术上取得了长足进步，但集成电路的核心技术基本上依然由国外公司拥有。我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管（SFGT）作为一种新型的微电子基础器件，它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的...
