MWR 电源的缓启动电路原理分析 Vers ion 1.0 Project FTFB Section File Name 电源的缓启动电路原理分析 Pages 11 Document Number: MWR-HW-XXXX-XX Revision: 1.0 Date: 2022-3-23 Process Ow ner: songchangjiang Group: Rev . Date ECO# Originated by History 1.0 2009-10-10 Song changjiang Created Project FTFB Section File Name 电源的缓启动电路原理分析 Pages 1 1 Document Number: MWR-HW-XXXX-XX Revision: 1.0 Date: 2022-3-23 Process Ow ner: songchangjiang Group: Hardw are Development Project FTFB Section File Name 电源的缓启动电路原理分析 Pages 11 Document Number: MWR-HW-XXXX-XX Revision: 1.0 Date: 2022-3-23 Process Ow ner: songchangjiang Group: Hardw are Development Page: 4 of 11 在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS 管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS 管有导通阻抗Rds_on 低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS 管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET 的开通过程进行叙述： 尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态一般来说，电子工程师通常基于栅极电荷理解MOSFET的开通的过程，如图 1 所示此图在MOSFET数据表中可以查到 图 1 AOT460 栅极电荷特性 MOSFET的D 和S 极加电压为 VDD，当驱动开通脉冲加到MOSFET的G 和S 极时，输入电容 Ciss 充电，G 和S 极电压 Vgs 线性上升并到达门槛电压 VGS(th)，Vgs 上升到VGS(th)之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds 的电压保持 VDD 不变 当 Vgs 到达VGS(th)时，漏极开始流过电流Id，然后Vgs 继续上升，Id 也逐渐上升，Vds 仍然保持VDD当 Vgs 到达米勒平台电压 VGS(pl)时，Id 也上升到负载电流最大值 ID，Vds 的电压开始从VDD 下降 Project FTFB Section File Name 电源的缓启动电路原理分析 Pages 11 Document Number: MWR-HW-XXXX-XX Revision: 1.0 Date: 2022-3-23 Process Ow ner: songchangjiang Group: Hardw are Development Page: 5 of 11 米勒平台...
