硅片清洗原理与方法介绍 1 引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。 2 硅片清洗的常用方法与技术 在半导体器件生产中，大约有 20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 由于晶盟现有的清洗设备均为 Wet-bench 类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述 3．1 湿法化学清洗 化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水 冲 洗，从而获 得 洁 净 表面的过程 。化学清洗又 可 分 为湿法化学清洗和干 法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍 处于主 导地 位 ，因此有必要首 先 对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全 面的介 绍 。 3．1．1 常 用 化 学 试 剂、洗液的性质 常用化学试剂及洗液 的去污能 力 ，对于湿法化学清洗的清洗效 率 有决 定 性 的影 响 ，根 据 硅片清洗目的和要求选 择 适 当 的试剂和洗液 是湿法化学清洗的首 要步骤 。 污染源种类 清洗方法 微粒 湿式化学清洗 APM（NH4OH-H2O2-H2O） 机械式清洗 Ultrasonic Brush-scrubbing Jet-scrubbing 金属 湿式化学清洗 HPM（HCL-H2O2-H2O） SPM（H2SO4-H2O2-H2O） DHF（HF-H2O） FPM（HF-H2O2-H2O） 干式化学清洗 CL2+UV（〈400nm〉 有机物 湿式化学清洗 SPM（H2SO4-H2O2-H2O） APM（NH4OH-H2O2-H2O） Ozone-water 干式化学清洗 UV/O3 O2-plasma 自然氧化层 湿式化学清洗 DHF（HF-H2O） BHF（HF-NH4F-H2O） 干式化学清洗 HF-vapor 表一、用以清除 particle、metal、organic、nature-oxide 的适当化学液 3．1．2 溶 液 浸 泡 法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除...
