1 ．引言............................................................................................................................................. 2 2 ．离子注入工艺 ............................................................................................................................. 2 2 .1 简介 ..................................................................................................................................... 2 2 .2 离子注入的分类 ................................................................................................................ 3 2 .3 离子注入的要求 ................................................................................................................ 3 3 ． 离子注入工艺的特点 ............................................................................................................... 4 4 . 离子注入工艺中应注意的几个问题 .......................................................................................... 6 4 .1 离子沟道 ............................................................................................................................ 6 4 .2 损伤 .................................................................................................................................... 6 4 .3 退火 .................................................................................................................................... 7 4 .4 预防沾污 ............................................................................................................................ 7 5 . 结束语.......................................................................................................................................... 7 1 ．引言 离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终形成晶体管结构。随着半导体集成电路的高速发展,对工艺提出了更高的...
