数字电子电路复习练习题一、填空题1.半导体具有三种特性,即:热敏性、光敏性和_________性。2.集电极反向饱和电流 I CBO是指发射极_________时,集电极与基极之间加反向电压时测得的集电极电流,良好的三极管该值较_________。3.逻辑函数的反演规则指出,对于任意一种函数 F ,假如将式中所有的_________互换,_________互换,_________互换,就得到 F 的反函数⎺F 。4.格雷码又称________码,其特点是任意两个相邻的代码中有_______位二进制数位不一样。5.从 TTL 反相器的输入伏安特性可以懂得两个重要参数,它们是____________和____________。6. 输出 n 位代码的二进制编码器,一般有 __________个输入信号端。7.全加器是指能实现两个加数和____________三数相加的算术运算逻辑电路。8. 时序电路除了包含组合电路外,还必须包含具有记忆功能的_________电路。因此,仅用一般的逻辑函数描述时序电路的逻辑功能是不够的,必须引进_________ 变量。9.要使触发器实现异步复位功能(Qn+1=0,应使异步控制信号(低电平有效⎺R D =___________,S D =___________⎺。10.JK触发器当J =K =________时,触发器 Q n+1= Q n ⎺。11.n 位二进制加法计数器有_________个状态,最大计数值为_________。12.用 555 定期器构成的 单稳态触发器,若充放电回路中的电阻、电容分别用 R 、C 表达,则该单稳态触发器形成的脉冲宽度 t w ≈____________。13.施密特触发器具有两个_________状态,当输出发生正跳变和负跳变时所对应的_________电压是不一样的。14.构成 ROM 电路中的输出缓冲器一般由三态门构成,其作用一是实现对输出状态的______________控制,二是提高带负载能力。15.当 RAM 的字数够用、位数不够用时,应扩展位数。其措施是将各片RAM的____________端、R/ W ⎺端 和 CS 端并联起来即可。 二、选择题1.与晶体三极管构成的电路相比,MOS 管构成电路的重要特点是 _________ 。a .电流控制;b .输入电阻高;c .带负载能力强2.下列数码均代表十进制数 6,其中按余 3 码编码的是_________。a .0110;b . 1100;c .10013. 已知逻辑函数 Y=AB+A B+ A B ,⎺⎺⎺则 Y 的最简与或体现式为____________。a .A ;b .A+ A B ;⎺⎺c . A+ B ;⎺d . A+B⎺4.TTL 与非门扇出系数的大小反应了与非门___________能力的大小。a .抗干扰;b .带负载;c . 工作速度5. 假如采用负逻辑分析,正或门即____________。a .负与门;...
