《计算机构成原理》(白中英)复习第三章 内部存储器存储器的分类按存储介质分类:易失性:半导体存储器非易失性:磁表面存储器、磁芯存储器、光盘存储器按存取方式分类:存取时间与物理地址无关(随机访问):随机存储器 RAM——在程序的执行过程中可读可写只读存储器 ROM——在程序的执行过程中只读存取时间与物理地址有关(串行访问):次序存取存储器 磁带直接存取存储器 磁盘按在计算机中的作用分类:主存储器:随机存储器 RAM——静态RAM、动态 RAM只 读 存 储 器 ROM——MROM、PROM、EPROM、EEPROMFlash Memory高速缓冲存储器(Cache)辅助存储器—-磁盘、磁带、光盘存储器的分级存储器三个重要特性的关系:速度、容量、价格/位多级存储器体系构造:高速缓冲存储器(cache)、主存储器、外存储器
主存储器的技术指标存储容量:存储单元个数 M×每单元位数 N 存取时间:从启动读(写)操作到操作完毕的时间 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 ,时间单位为 ns
存储器带宽:单位时间里存储器所存取的信息量,位/秒、字节/每秒,是衡量数据传播速率的重要技术指标
SRAM 存储器基本存储元:用一种锁存器(触发器)作为存储元
基本的静态存储元阵列双译码方式读周期、写周期、存取周期DRAM 存储器基本存储元:由一种 MOS 晶体管和电容器构成的记忆电路
存储原理:所存储的信息 1 或 0 由电容器上的电荷量来体现(充斥电荷:1;没有电荷:0)
一种 DRAM 存储元的写、读、刷新操作DRAM 的刷新:集中式刷新和分散式刷新(P73)存储器容量的扩充位扩展——增长存储字长字扩展——增长存储字的数量字、位扩展例题只读存储器 ROM掩模ROM、可编程ROM(PROM、EPROM-—光擦除可编程可读存储器、EEPROM-—电擦除可编程存储器)、Flash