专升本《模拟电子技术》

B一、单选(共 20 题,每题 2 分,共 40 分)1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。()A. 空穴数量增多B. 自由电子与空穴数量不变C. 自由电子与空穴同时增多，且数量相同D. 自由电子数量增多2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。()—目―i—A__D2n 述—6VT^^12VA. U=-6V,DI 反偏截止 D2 正偏导通AOB. U=-6V,D1 正偏导通 D2 反偏截止AOC. U=-12V,D1 正偏导通 D2 反偏截止AOD. U=-12V,D1 反偏截止 D2 正偏导通AO3. 当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。()A.反向区 B.死区 C.正向导通区 D.反向击穿区A. 电路能实现复合管的作用，且=1+2。B. 电路能实现复合管的作用，且=12C. 电路不能实现复合管的作用D. 电路能实现复合管的作用，且 1=25.下列电路中有可能正常放大的是：。()A.4.如图所示的电路,以下结论正确的是。()7. 硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。（）A.0.4VB.0.1VC.0.7VD.0.3V8. 共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。（）A.反相 B.不确定，需要通过实际计算才得到C.同相 D.相差 90°9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。（）A.多子一多子一差不多 B.多子一少子一大C.少子一多子一小 D.多子一两种载流子一小6.图示的电路中，稳压管 Dzl 和 Dz2 的反向击穿电压分别为 6V 和 7V,正向导通电压均为0.6V,则输出电压为：。（）A.7B.6.6VC.5.4VD.6V10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。（）A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生,B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生,C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发应 增 大 偏 置 电 阻Rb。应减小偏置电阻Rb。应减小偏置电阻Rb。应增大偏置电阻11.根据反馈的采样特性，反馈可分为反馈。A.串联和并B.直流和交C.正和D.电压和电12.三端集成稳压器 CW7912 的输出电压是。()A.9VB.-12VC.12VD.713.负反馈多用于。()A.提高电压增益B.改善放大电路的性能电路中的三个电极电位 Ul、U2、U3 应为下列哪组14.某 NPN 型硅管，当其工作在放大状态时据？（）A. U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V。B. U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。C. U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。D. U1=3V，U2=2.8V，U3=12V。15•当 PN 给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层。()A.大于一变窄...