相控阵第三期闭卷一些考核内容第10页，PAUT和UT的根本区别是什么？答案是A超不能成像。第14页，什么原理解释了指向性函数？乘积定理？阵列探头的指向性函数=单阵元指向性函数×点阵列指向性函数第16页，互易原理，给了两个频率的探头，两层板，选特征一样的依据：信号相同，特征相同，大小不同（卢老师）？？？第18页，相干叠加和非相干叠加的理解依据：1频率相同、偏振方向不垂直/相同、差恒定/固定的时间差产生叠加干涉（某些点的振幅恒加强，某些点恒减弱。）2频率和相位差随机变化时，产生非叠加干涉3相位差是余弦函数周期的整数倍或半个周期的偶数倍时，信号增强4相位差是半个周期的奇数倍时，信号减弱第21页，近场区，有四五个题，变着法的考，留意公式中各符号的取值。正方形Ks=1.37，近场区最大（正方形晶片激发的能量和转换效率都最好好像？）。矩形晶片近场区计算公式：No=Ks.L2/（4.入）,Ks取值①W/L0.6﹤时误差小于5%，Ks=1；②0.6W/L≤1﹤时，Ks通过查表或根据公式Ks=4/π×（1+W2/L2）×（0.78-0.27.W/L）计算；③当W﹥L时，调换W,L位置计算No值。（注意入取值是纵波还是横波）圆形Ks=1？Ks针对的是矩形晶片，圆形晶片没有Ks一说；圆形晶片近场区按No=Fs/（π.入）计算。第23页前后，半扩散角，给定了一个圆形和正方形面积相同时，半扩散角谁大谁小？依据：P24页圆大(假定圆形和正方形面积为一个具体数值，计算出正方形的边长L和圆形晶片的Ds，再依据矩形半扩散角=57.3入/L,圆形晶片半扩散角=70入/Ds）计算判断谁大谁小)第27-37页，栅瓣，准备了大半天，就考了两题。注意栅瓣可能出现的角度位置的计算公式；消除栅瓣方法可考虑：减小偏转角，提高探头频率降入，减小阵元间距P,增大探头频带宽度BW，单阵元的指向性函数也会影响栅瓣（会影响扩散角？），阵元波幅变迹。零延迟法则，g值很小时，不会出现栅瓣；无论聚焦还是偏转，当入/P＜2时都有可能出现栅瓣。第29页，关于主瓣扩散角与什么有关，公式和图形多看一下第31页，阵元个数n的影响哪个分辨力？阵元个数n影响横向分辨力引申出来，阵元个数的变化？阵元间距的变化？偏转角变化？聚焦能力的变化？声束偏转能力的变化之间的关系。元个数n增加，A和旁瓣能量，对灵敏度有利，对接触面要求提高，不利于耦合，扩散角减小，指向性和横向分辨力变好，聚焦能力变好，对声束质量有所改善（焦点尺寸小）偏转能力变好？？第41页，计算题换个数据考，以及计算题上面的两行字，近场距离的影响因素考了一个选择题？依据：高频率大晶片能提高N偏转角度越大N小（加楔块的横波或纵波斜入射某个角度的等效近场区时，要考虑一个相控偏转角等效孔径，还一个因折射产生的等效孔径，要折算两次）矩形晶片近场区计算公式：形晶片近场区按No=Fs/据公式考虑影响因素。激活孔径，频率，相控偏转角，入射角和折射角与近场距离的关系。第42-43页，分辨力和分辨率考了三四题，其他题涉及到的也不少。辨力分辨率，反正是分辨不开。横向分辨力，机械扫查分辨力，纵向分辨力（计算题，给了一个纵波速度一个横波速度，注意用哪个），底面分辨力，纵向分辨率（与AD采样有关，是AD采样周期与声速乘积的1/2），分辨力的大小与声束直径和反射体的位置和类型有关。。。。。。。多的吓人横向分辨力是指垂直于声束传播方向上能分辨出两个目标反射体最小间隔的能力：机械扫查分辨力和电子扫描，沿焊缝左垂直扫查时纵向分辨力是指声束传播方向上能分辨出两个目标反射体最小间隔的能力/轴向分辨力:近表面和底面分辨力横向分辨力主要和声束直径大小有关，声束直径小分辨力越高，近场区聚焦区，聚焦声束直径越小，分辨力越高。远场区分辨力个扩撒角、声程大小有关。。。。。。。。。。。。。。后续分辨率的问题（分辨力单位一般为长度或者面积；分辨率单位为长度或像素点）角度分辨力：S扫时一定声程距离上能够分辨出沿弧长方向两个目标反射体最小角度的能力。角度分辨率为角度步进，如1°横向分辨率是指电子扫描或机械扫查时，沿声束垂直方向的空间采样间隔。（线扫为晶片步进长度；S扫为一定声程处相邻声束线之间的间隔；机械扫查分辨率为编码器触发的采样间...
