方案优劣与充电数据线起火分析

现在越来越多的手机使用了快速充电技术 Quick Charge 3.0，可以达到 9V/2A（18W）, 随着 IPHONE 新产品的发布，充电也提高为快充技术，由于体积小而电流大，这样一来对充电线元件器要求也越来越高；iPhone 数据线 Lightning 接头为 BGA 封装技术，这块区域由四颗主要芯片组成，分别是 NXP 20P3、ST USB2A、TI BQ2025 等；苹果悄然升级 Lightning 接头一方面是为了改进供电，而另一方面则是有可能会加入最新的加密协议。如此一来，将会给破解增加更大难度，从而保证自家配件能够赚取更多的利润。IPHONE 原装线测试过程中功率有浮动不大，差不多保持在 17W 左右；然而市面上 IPHONE 原装线太贵，充电数据线山寨版本很多，我来说说 MOSFET 的问题。MOSFET 做为一个开关，实现的功能是导通和关断，理论上导通的电阻为 0 欧姆，但实际器件是不可能做到 0 欧姆。MOSFET 的最大导通电阻仿品 A仿品 B仿品 C苹果原装 lightning111mΩ150mΩ69mΩ22mΩ(下图为劣质充电线)从上图可以看到，山寨基本就是一个解密芯片、一个 MOSFET；这种普通的 MOSFET 电流小，容易发热，充 IPHONE 老款产品牵强够用，对于快充时代的来临(9V/2A)，只能面临淘汰。（下图优质充电线方案）我 司 专 业 于 MOSFET 器 件 领 域 ， 拥 有 全 球 最 小 封 装 MOSFET(30 系 列 ) ， 体 积 在667um*743um，实际过流达到 3A，且低温；20 系列 MOSFET（贴片 0805 封装）可以达到15A,对于小体积且需要大电流的设备有很大优势，产品的相关测试数据标准等同欧美同类产品,为客户提高产品的转换效率。QQ:1170989036 电话：从上面的表中，可看到原装 lightning 头导通的电阻比仿品的要小很多。电阻的大小会对充我们可以从公式：U=I X R 计算出 I=1A 和 2A 时 MOS 管上的电压降以及 MOSFET 上的功率消耗。MOSFET 的最大导通电阻仿品 A仿品 B仿品 C苹果原装 lightning111mΩ150mΩ69mΩ22mΩ电流 I=1A 时的压降0.111V0.150V0.069V0.022V电流 I=2A 时的压降0.222V0.3V0.138V0.044V电流 I=2A 时MOSFET 的损耗0.444W0.6W0.276W0.088W从上面的表中，我们可以看出，在充电电流为 1A 时，比如充 IPHONE，仿品线的 MOSFET 压降/功耗还是可以接受的，最大压降为 0.15V，对于总电压 5V 来说，影响不是太大。但在充电电流为 2A（或者>2A）时，比如充 IPAD，仿品线上 MOSFET 的压降就会明显增...