微传感器原理与技术

一、名词解释: Ｍ EMS：其英文全称为 Micro－El ｅ ctro-Ｍ ec ｈ ani ｃａ l Ｓｙ stem,就就是用微电子,即ｍ icro ｅ lectron ｉ c 得技术手段制备得微型机械系统。第一个Ｍ也代表器件得特征尺寸为微米量级,假如就就是纳米量级,相应得 M 这个词头就有ｎ a ｎ o 来替代，变为 NEM Ｓ,纳机电。Ｍ E Ｍ S 及 NEMS 就就是在微电子技术得基础上进展起来得,融合了硅微加工、LIGA技术等得多种精密机械微加工方法，用于制作微型得梁、隔膜、凹槽、孔、反射镜、密封洞、锥、针尖、弹簧及所构成得复杂机械结构。（点击)它继承了微电子技术中得光刻、掺杂、薄膜沉积等加工工艺,进而进展出刻蚀、牺牲层技术、键合、LIG Ａ、纳米压印、甚至包括最新得 3 Ｄ打印技术Ｓ OI: SO Ｉ(Silic ｏ n－Ｏ n-Ｉ n ｓｕ lator，绝缘衬底上得硅)技术就就是在顶层硅与背衬底之间引入了一层埋氧化层。 通过在绝缘体上形成半导体薄膜,S Ｏ I 材料具有了体硅所无法比拟得优点：可以实现集成电路中元器件得介质隔离,彻底消除了体硅 CMOS 电路中得寄生闩锁效应；采纳这种材料制成得集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说 SOI 将有可能成为深亚微米得低压、低功耗集成电路得主流技术。SO Ｃ:Ｓ O Ｃ-Sy ｓｔｅｍ ｏ n C ｈ ip，高级得 MEMS 就就是集微型传感器、微型执行器以及信号处理与控制电路、直至接口、通信与电源等于一体得微型器件或系统,这样得系统也称为Ｓ OC,即在一个芯片上实现传感、信号处理、直至运动反馈得整个过程。L Ｉ GA:LIGA 就就是德文光刻、电镀与模铸三个词得缩写。它就就是在一个导电得基板上旋涂厚得光刻胶，然后利用 x 射线曝光,显影后形成光刻胶得模具，再用电镀得方法在模具得空腔中生长金属,脱模后形成金属得微结构。特点 : 该工艺最显著得特点就就是高深 宽比 , 若用于加工一个细长杆 , 杆得直径只有 1 微米 , 而高度可达 50 ０微米 , 深宽比大于 50 ０ , 这就就是其她技术无法比拟得。其次 , 它还具有材料广泛得特点，可加工金属、陶瓷、聚合 物与玻璃。但传统得 LIGA 采纳得 x 射线曝光工艺极其昂贵 , 近年来采纳Ｓ U － 8 光刻胶替代 P ＭＭ A 光刻胶 , 紫外曝光代替 x 射线曝光得准 LI Ｇ A 技术获得了更广泛得进展与应用。 ＤＲ IE：反应离...