2-1 与信息电子电路中得二极管相比,电力二极管具有怎样得结构特点才使得其具有耐受高压与大电流得能力？答:1、电力二极管大都采纳垂直导电结构,使得硅片中通过电流得有效面积增大,显著提高了二极管得通流能力。2、电力二极管在 P 区与 N 区之间多了一层低掺杂 N 区,也称漂移区。低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂得纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂 N 区就可以承受很高得电压而不被击穿。2-2、 使晶闸管导通得条件就是什么？ 答:使晶闸管导通得条件就是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0 且 uGK>0。 2-3、 维持晶闸管导通得条件就是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答:维持晶闸管导通得条件就是使晶闸管得电流大于能保持晶闸管导通得最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压与外电路得作用使流过晶闸管得电流降到接近于零得某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通得晶闸管关断。2-7 与信息电子电路中得二极管相比,电力二极管具有怎样得结构特点才使得它具有耐受高电压电流得能力？答 1、电力二极管大都采纳垂直导电结构,使得硅片中通过电流得有效面积增大,显著提高了二极管得通流能力。2.电力二极管在 P 区与 N 区之间多了一层低掺杂 N 区,也称漂移区。低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂得纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂 N 区就可以承受很高得电压而不被击穿。2-8 试分析 IGBT 与电力 MOSFET 在内部结构与开关特性上得相似与不同之处、IGBT 比电力 MOSFET 在背面多一个 P 型层,IGBT 开关速度小,开关损耗少具有耐脉冲电流冲击得能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET。电力 MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。IGBT 驱动电路得特点就是:驱动电路具有较小得输出电阻,ⅠGBT 就是电压驱动型器件,IGBT 得驱动多采纳专用得混合集成驱动器。 电力 MOSFET 驱动电路得特点:要求驱动电路具有较小得输入电阻,驱动功率小且电路简单。 2-11 目前常用得全控型电力电子器件有哪些？答:门极可关断晶闸管, 电力晶闸管,电力场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管。 3-23.带平衡电抗器得双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？答:带平衡电抗器得双反星形可控整...
