Abstract 提取 LEF 说明 Abstract 提取 LEF 详细说明 以我实际项目 PLL_TOP_RAD_V2 为例：需要提取 LEF所需要的 GDS (PLL_TOP_RAD_V2.gds) , gds 相对应的的map file （ hlmc55dr.layermap ） , 以 及tf (HL55LP_HS_RVT_V1p2d.tech.lef)1.第一步，启动软件，终端窗口输入 abstrct 启动软件，点击菜单 File->New，新建一个名为 PLL_TOP_RAD_V2 的库，点击“OK”完成。2.导入提取所需要的工艺 LEF 和 gds 文件。LEF 导入：点击File->LEF ，在 Import LEF 窗口中输入所需要的 tech.lef 文件 名 及 正 确 的 路 径 。 确 认 View : abstract ， 勾 选 上Overwrite ，点击“OK”完成导入 LEF 文件。假如这步有警告或者错误请务必排查出问题所在，不然后面的步骤很难顺利完成。GDS 以 及 MAP 导 入 ： 在 GDSII Filenames 中 输 入framview gds 文件的路径及文件名。 Layer Map Table 一栏中输入工艺对应的 map 文件，点击“OK”完成。4. 选 中 导 入 进 来 的 Core 中 的 CELL 点 菜 单 Cells -> Move.. , Move Selected Cells 到 Block, 点击 OK 完成。把 PLL_TOP_RAD_V2 单元从 Core 移到了 Block。5.接下来的步骤进入到 FLOW 的流程，一步一步的完成。 首先是 Flow -> Pin ,Map 一栏，详细情况如下图：在 Map 栏中，Map text labels to pins 中 (M3 M3) 说明，第一个 M3 指版图中我用的 M3 层打的 pin，第二个 M3 就是金属三那一层，意思是我 M3 的 pin 我用的 M3 去打的 label 。（可明白？）其它工艺有可能是(M3txt M3)的表述，具体取决于你 map 和 lvs rule 里面所有定义层的 pin 在做 LVS 能够识别到的 label 所打的层。因为我这个工艺只用到了 M3 M2 M1 这三层金属打 label 是识别 pin, 所以我没有 M4 以上的 标注。Power/Ground pin names (regular expressions) :表述IP 中的的电源/地的 pin 的名称。Clock pin names (regular expressions)： 表述 CLOK 信号Analog pin names (regular expressions)：表述模拟 pinOutput pin names (regular expressions)：表述输出 pin 假如以上没有说明在产生的 lef 中（如下图)的 USE 一项，可能不是 POWER /GROUND / CLOCK /ANALOG 的标识，统一是 USE SIGNAL，DIRECTION 标识将都是...
