半导体激光器的设计和工艺

半导体激光器的设计和工艺黄永箴中国科学院半导体所，光电子研发中心 集成光电子国家重点实验室1 .半导体双异质结构2. Fabry-Perot 谐振腔（纵模）3. 侧模控制（基侧模）4.横模控制5. 动态单模半导体激光器6. 波长可调谐半导体激光器7. 长波长 VCSEL 的进展8. 微腔激光器和光子晶体9. 半导体激光器材料的选择二.半导体光波导平板波导的模式，TE 和 TM 模光限制因子和模式增益一维多层波导结构(VCSEL)光场分布半导体激光器镜面反射系数DFB 激光器的藕合模理论DFB 半导体激光器的一维模拟等效折射率近似数值模拟12345678三. 半导体中的光跃迁和增益费米分布函数及跃迁速率电子波函数及跃迁矩阵元简约态密度及增益谱模式的自发辐射速率应变量子阱的能带和增益谱数值结果 能带，跃迁知阵元和增益谱数值结果 增益谱峰值的近似表达式1234567四.速率方程和动态效应1. 单模速率方程及基本物理量2. 稳态输出3.共振频率和 3dB 带宽4.载流子输运效应对带宽影响5. 开启延迟时间7.自发辐射引起的噪声8. 相对强度噪声9. 模式线宽10. 多模速率方程6. 线宽增宽因子和动态频率喟啾1 .半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性3.激光器寿命4 .激光器阈值电流的温度特性