半导体物理学基本概念

半导体物理学基本概念(最新版)(3 页)Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。半导体物理学基本概念1.离子晶体：由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体中，正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。2.共价晶体：主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性和饱和性规定了共价晶体中原子间结合的方向性和配位数。由于共价键非常稳定，所以一般来说，共价晶体的结构很稳定，具有很高的硬度和熔点。由于所有的价电子都参加成键，不能自由移动，因而共价晶体通常不导电。3.晶胞：晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。4.弗仑克耳缺陷（肖特基缺陷）：在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动，而且一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的位置便成为空位。这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷。5.施主（受主）杂质及施主（受主）电离能：V 族杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或 n 型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能，用△表示。Ⅲ 族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称它们为受主杂质或 p 型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能，用 Δ.6.直接（间接）复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合。电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。根据复合过程发生的位置，又可以把它区分为体内复合和表面复合。7.复合率：n 和 p 分别表示电子浓度和空穴浓度。单位体积内，每一个电子在单位时间内都有一定概率和空穴复合，这个概率显然和空穴浓度成正比，可以用 rp 表示，那么复合率 R 就有如下的形式：R=rnp ，比例系数 r 称为电子--空穴复合概率。8.量子态密度：单位 k 空间中的量子态数，称为 k 空间的量子态密度。9. 状态密度：在能带中能量 E 附近每单位能量间隔内的量子态数，g(E)=.10.有效状态密度：把导带中所有量子态都集中在导带底（把价带中所有量子态都集中在价带顶）.11.绝缘体（导体、半导体）能带特点：绝缘体的禁带宽度很...