华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版

华中科技大学CMOS 拉扎维第二章课后作业答案中文版(13 页)Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。CMOS Analog DesignHome work 1 SolutionBy: 张涛（）2025 年 3 月 18 日作业内容：一、书本上的习题2.22.5 (a)、(b)、(c)2.6 (a)、(b)2.72.152.82.182.24参考解答过程2.2.（1）对于 NMOS，工作在饱和区时，有： = = （忽略沟长调制效应） =3.66mAV =20 A==73.3（2）对于 PMOS，公式基本同上 = = （忽略沟长调制效应） =1.96mAV =10 A==19.62.5a.若不考虑二级效应，则 = 实际情况下，由于衬偏效应会影响 IX~VX 曲线图b.（1）当 0〈〈1 时，S、D 反向VGS-VTH=1.2-VX 〉VDS此时，NMOS 处于 S、D 方向的三极管区（2）当 1〈〈1.2 时，VGS-VTH=0.2>VDS=VX-1 （未考虑衬偏效应）此时，NMOS 处于正向导通的三极管区IX=（3）当 VX 1.2 时NMOS 处于饱和区 = IX~VX 曲线图未考虑衬偏效应时的曲线若考虑衬偏效应，则 VTH 增大，当衬偏效应比较小，反向后仍有VGS>VTH， 曲线同上，当衬偏效应比较大时，VGS0.3 时，MOS 管截止IX~VX 曲线图考虑衬偏效应后，曲线与 X 轴的交点会该变位置2.6 |VGS|= |VDS|= 所以|VDS|>|VGS|-|VTH| PMOS 处于饱区 = Gm= =ID~VX 曲线图Gm 与 VX 曲线图 |VGS|= |VDS|= 所以 VDS>VGS-VTH PMOS 处于饱区 = Gm= =ID~VX 曲线图Gm 与 VX 曲线图2.7 （为了简化运算和分析，这里没有考虑二级效应）1.VOUT 有电流通过 R1 产生，电路工作时，S、D 反向。（1）当 0〈VIN〈0.7 时，MOS 管截止VOUT=0（2）当 0.7〈VIN〈1.7 VGS-VTH=VIN-VOUT-0.7 VDS=1-VOUT VGS-VTH〈VDSMOS 管处于反向导通的饱和区Vout=（3）当 1.7〈VIN〈3VGS-VTH 〉VDSMOS 管处于反向导通的三极管区Vout=VOUT~VIN 曲线图2.VOUT 有电流通过 R1 产生，电路工作时，S、D 反向。(1).当 0〈VIN〈1.3 时VDS=VIN-VOUT〈VGS-VTHNMOS 处于反向导通的三极管区VOUT=IxR1=R1(2)当 1.3〈VIN〈3NMOS 处于反向饱区VOUT=IxR1=R1VOUT~VIN 曲线图2.8（a）VS=VDD-VOUT VB=VIN VSB=VDD-VOUT-VINMOS ...