271 ６2716 指得就是 In ｔｅｌ 2 ７ 16 芯片,Intel ２ 716 就是一种可编程可擦写存储器芯片封装：双列直插式封装,２ 4 个引脚基本结构：带有浮动栅得 M Ｏ S 管封装：直插 24 脚,引脚功能： Al0～A0:地址信号O7~O ０： 双向数据信号输入输出引脚; C Ｅ：片选O Ｅ:数据输出允许；Ｖｃ c：＋5 ｖ电源，VP Ｐ:+25v 电源； GN Ｄ：地2716 读时序:２７ 3 ２相较于 27 １ 6：In ｔｅ l2 ７ 16 存储器芯片得存储阵列由 4K×8 个带有浮动栅得Ｍ OS 管构成，共可保存4 Ｋ×８位二进制信息封装：直插 24 脚引脚功能：A ０~A11 地址E 片选G/VP Ｐ输出允许/+25v 电源DQ0~７数据双向VSS 地VCC+5v 电源２ 7 ３ 2 读时序2 ７ 6 ４、2 ７ 1 ２ 8、27 ２ 56、275 １２等与之类似27 ０ 20存储空间：256k ｘ 8读写时间：５ 5/70 ｎ s封装：直插／贴片３ 2 脚引脚功能:A0~A17 地址线Ｉ／O0～７数据输入输出Ｃ E 片选Ｏ E 输出允许PG Ｍ编程选通Ｖ CC+５ v 电源Ｖ PP＋2 ５ｖ电源GND 地27020 读时序:２ 70 ４ 0 与之类似R Ａ M-—611 ６ 6116 就是 2K＊８位静态随机存储器芯片，采纳 C ＭＯＳ工艺制造,单一＋5V 供电，额定功耗 160mW，典型存取时间９ 0/１２０ ns，封装：24 线双列直插式封装、引脚功能：A0-A1 ０为地址线；Ｃ E 就是片选线;OE 就是读允许线；WE 就是写允许线、操作方式：C ＥOEWE方式D0—D ７H———-未选中高阻LLH读DoutLHＬ写Ｄ inLLL写Di ｎRAM—6 ２ 646 ２ 64 就是 8K＊8 位静态随机存储器芯片，采纳 CMOS 工艺制造，单一＋5V 供电，最大功耗４ 5 ０ mW,典型存取时间 7 ０/１00/12 ０ ns,封装：直插式 28 脚引脚功能：Ａ 0~Ａ 1 ２:地址线Ｗ E 写允许OE 读允许CS 片选N Ｃ—No co ｎ nec ｔ i ｏ nI/O1~I/O ８数据输入输出操作模式模式C Ｓ１Ｃ S2OEWEI／O1～８备用ＨＸＸX高阻XLＸX高阻禁止输出LHHH高阻读LHLＨD Ｏ U Ｔ写LＨXLDIN常见存储器型号规格
