MOS Ｆ ET 栅极使用多晶硅取代了金属得原因ＭＯ SFET 得栅极材料理论上Ｍ OSF Ｅ T 得栅极应该尽可能选择电性良好得导体，多晶硅在经过重掺杂之后得导电性可以用在 MOS Ｆ ET 得栅极上,但就是并非完美得选择。MO ＳF Ｅ T 使用多晶硅作为得理由如下:⒈ MOS Ｆ E Ｔ得临界电压（ｔ hre ｓ ho ｌ d ｖｏ l ｔａ g ｅ）主要由栅极与通道材料得功函数(ｗ ork f ｕｎ ction）之间得差异来决定，而因为多晶硅本质上就是半导体,所以可以藉由掺杂不同极性得杂质来改变其功函数.更重要得就是，因为多晶硅与底下作为通道得硅之间能隙(ｂ and ｇ ap）相同,因此在降低 P ＭOS 或就是 NMO Ｓ得临界电压时可以藉由直接调整多晶硅得功函数来达成需求。反过来说，金属材料得功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFE Ｔ得临界电压就变得比较困难。而且假如想要同时降低 P Ｍ OS 与NMOS 得临界电压，将需要两种不同得金属分别做其栅极材料，对于制程又就是一个很大得变量。⒉ 硅—二氧化硅接面经过多年得讨论，已经证实这两种材料之间得缺陷(de ｆec ｔ)就是相对而言比较少得。反之,金属-绝缘体接面得缺陷多，容易在两者之间形成很多表面能阶,大为影响元件得特性。⒊ 多晶硅得融点比大多数得金属高，而在现代得半导体制程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进元件效能。金属得融点低，将会影响制程所能使用得温度上限。不过多晶硅虽然在过去二十年就是制造Ｍ OSFET 栅极得标准,但也有若干缺点使得未来仍然有部份 M ＯＳ FET 可能使用金属栅极,这些缺点如下：⒈ 多晶硅导电性不如金属，限制了讯号传递得速度。虽然可以利用掺杂得方式改善其导电性,但成效仍然有限。有些融点比较高得金属材料如：钨（Ｔ un ｇsten）、钛（Ｔ itan ｉ um）、钴(Co ｂａ l ｔ）或就是镍（N ｉ ckel）被用来与多晶硅制成合金.这类混合材料通常称为金属硅化物(ｓ il ｉ c ｉ de)。加上了金属硅化物得多晶硅栅极有著比较好得导电特性,而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物得位置就是在栅极表面,离通道区较远，所以也不会对 M ＯＳ FET 得临界电压造成太大影响。在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物得制程称为“自我对准金属硅化物制程”(Self—Alig ｎ e ｄ Si ｌ i ｃ ide），通常简称 salici ｄ e 制程。⒉ 当 M Ｏ SFET 得尺寸缩得非常小、栅极氧化层也变得非常薄时,...
