1.IGBT 得开启电压 UGE(t ｈ)随温度升高而略有下降,开关速度小于电力 MOS ＦＥＴ 。2.在如下器件:电力二极管(Power Ｄ io ｄ e)、晶闸管(Ｓ CR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力ＭＯSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件得就就是电力二极管,属于半控型器件得就就是晶闸管,属于全控型器件得就就是 GＴ O GTR 电力 MO Ｓ FET IGBT ;属于单极型电力电子器件得有电力 MOSFET ,属于双极型器件得有电力二极管 晶闸管 Ｇ TO ＧＴ R,属于复合型电力电子器件得有 ＩＧ B Ｔ _ ;在可控得器件中,容量最大得就就是＿ 晶闸管 _ ,工作频率最高得就就是电力ＭＯＳ FET ,属于电压驱动得就就是电力 MOS ＦＥＴ 、 IGB Ｔ ,属于电流驱动得就就是晶闸管、 GTO 、 G Ｔ R 。3.电阻负载得特点就就是_ 电压和电流成正比且波形相同 _ 。 阻感负载得特点就就是＿ 流过电感得电流不能突变 ,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管得电路中,晶闸管控制角 α 得最大移相范围就就是_ ＿ 0- １ 80 Ｏ _ ,其承受得最大正反向电压均为_＿ _ ,续流二极管承受得最大反向电压为_ ＿ _(设 U ２为相电压有效值)。4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为 0-180 Ｏ ,单个晶闸管所承受得最大正向电压和反向电压分别为和;带阻感负载时,α 角移相范围为 0- ９ 0 O ,单个晶闸管所承受得最大正向电压和反向电压分别为和;带反电动势负载时,欲使电阻上得电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角 α 大于不导电角时,晶闸管得导通角=π－α-; 当控制角小于不导电角时,晶闸管得导通角= π-2。6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受得最大正向电压 UFm 等于,晶闸管控制角 α 得最大移相范围就就是 0-1 ５ 0 ｏ ,使负载电流连续得条件为α≤30o(U2 为相电压有效值)。7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态得晶闸管对应得就就是最高得相电压,而共阳极组中处于导通得晶闸管对应得就就是最低得相电压;这种电路角得移相范围就就是 0- １ 20 o ,u ｄ波形连续得条件就就是 α≤60°。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角得影响,将使用输出电压平均值下降 _ 9.滤波单相不可控整流带电阻负载...
