载流子迁移率计算方法(VASP,ORIGIN)-CAL-FENGHAI-(2025YEAR-YICAI)_JINGBIAN计算公式：半导体物理书上也有载流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式，经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用 vasp 计算的参数有，Sl,me,md,El这四个参数，其他的都是常数，可以查询出来带入公式。参数：Sl, 就是需要我们先用 vasp 计算出声子谱，我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的 Sl 所以需要学会怎么使用phonopyme:就是电子的有效质量，要用 origin 对能带图求二次导，取导带底对应的值。md: mx 就是布里渊区 X 方向的有效质量，my 就是 y 方向的有效质量，先用笔算出 G 到 K,M 向量，然后分别作这两个向量的垂直向量，在这两个向量方向上取 20 个权重为 0 的点，放到 KPOINTS 中，根据以前的方法，算出来的能带就是 x 方向上的和 y 方向上的，然后就可以算出 x,y 方向上的有效质量。El:把公式变形一下，El，放在一边，其他的放在另一边，δV 就是原来晶胞的体积改变量，δE 就是对应能量的该变量，V0 就是晶胞原来的体积，也就是说，我要把原来的晶胞任意改变一下大小，算出导带底能量的变化量，进而就算出了 El这个量。以上这四个量算出来之后，带入公式计算就可以得出电子的迁移率公式。电子迁移率主要受到：声学支波散射，光学支波散射，电离杂质杂质散射的影响，因为后二者没有第一个影响大，所以我们计算的迁移率包含的就是在声学支波散射作用下的迁移率。（半导体物理书上都很认真的介绍。）
