上海大学 ２ 016 ~ ２ 017 学年 秋 季学期讨论生课程考试(论 文)课程名称: 半导体材料 ( Semic ｏｎｄ uc ｔｏ r Ｍ a ｔ eria ｌ s) 课程编号: 1011 ０１９１ 1 论文题目: 量子阱及量子阱半导体激光器简述 讨论生姓名: 陈卓 学 号: 论文评语:(选题 文献综述 实验方案 结论合理性 撰写法律规范性 不足之处)任课老师: 张兆春 评阅日期: 课程考核成绩考核内容文献阅读、讲述与课堂讨论小论文比例7 ０％30％成绩总评成绩量子阱及量子阱半导体激光器简述陈卓(上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200 ４ 4 ４)摘要: 本文接续课堂所讲得半导体激光二极管进行展开。对量子阱结构及其特性以及量子阱激光器得结构特点进行阐释。最后列举了近些年对量子阱激光器得相关讨论,包括阱层设计优化、外部环境得影响(粒子辐射)、电子阻挡层得设计、生长工艺优化等。关键词:量子阱 量子尺寸效应 量子阱激光器 工艺优化 一、引言 半导体激光器自从 1 ９６ 2 年诞生以来,就以其优越得性能得到了极为广泛得应用[1],她具有许多突出得优点:转换效率高、覆盖波段范围广、使用寿命长、可直接调制、体积小、重量轻、价格便宜、易集成等。随着新材料新结构得不断涌现和制造工艺水平得不断提高,其各方面得性能也进一步得到改善,应用范围也不在再局限于信息传输和信息存储,而就就是逐渐渗透到材料加工、精密测量、军事、医学和生物等领域,正在迅速占领过去由气体和固体激光器所占据得市场。20 世纪７ 0 年代得双异质结激光器、80 年代得量子阱激光器和 90 年代出现得应变量子阱激光器就就是半导体激光器进展过程中得三个里程碑。[2］制作量子阱结构需要用超薄层得薄膜生长技术,如分子外延术(MB Ｅ)、金属有机化合物化学气相淀积(MOC Ｖ D)、化学束外延(ＣＢＥ)和原子束外延等。［３]我国早在197 ４年就开始设计和制造分子束外延(MBE)设备,而直到１ 986 年才成功得制造出多量子阱激光器,在１ 9 ９ 2 年中科院半导体所(ISCAS)使用国产得 MBE 设备制成得Ｇ R Ｉ N-SC Ｈ InGa Ａ s/G ａＡｓ应变多量子阱激光器室温下阈值电流为 1、55m Ａ,连续输出功率大于 30mW,输出波长为 102 ６ nm。[4]量子阱特别就就是应变量子阱材料得引入减少了载流子得一个自由度,改变了Ｋ空间得能带结构,极大得提高了半导体激光器得性能,使垂直腔表面发射激光器成为现实,使近几年取得突破得 GaN 蓝...
