2025 总复习一．基本定义和概念：欧姆定律：I＝G×(E－Erev)；膜电势＝膜内－膜外；电流方向规定从胞内流向胞外为正；膜等效电路；离子选择性. Erev＝RT/zF*ln(PA[A]o/PB[B]i)Erev＝RT/F*ln(（PK[K]o＋PNa[Na]o+PCl[Cl]i）/ (PK[K]i＋PNa[Na]i+PCl[Cl]o))动作电位产生原因：Na/Ca 的内流, K 的外流产生动作电位1. 动作电位产生于 Na 通透性的增加：电击后，膜电位首先从 Vrest增加并超过 0 mV 达到最大值（叫去极化）之后开始下降至 Vrest或更低时叫复极化或超极化。AP：All-or-none;有阈值（去极化 10-15 mV）;动作电位是一种脉冲式的电信号（常见于 CNS 中）。见图。有关动作电位的名词：去极化: 极性程度的减弱；复极化；超极化；动力学名词：激活 activation:电导在一个短时间延时后急剧增加（去极化过程）；失活：电导在一个短时延时后急剧增加后掉到低值（去极化过程中通道关闭）；去激活 deactivation:电导回到通道关闭的水平；尾电流：驱动力、通道开放；门电流/门电荷：位移电流，通道上电荷在电场力的策动下运动所致。一般在 10ms 内消逝，电流很小，可以通过阻断所有通道电流测得。计算门电荷数/有效电荷：利用 GV 曲线的 Slope 得到门电荷或用方差法从电流中得到通道数或从门电流中得到总电荷数； O/C=exp(-(w-zgqeE)/kBT)O/(O+C)=1/(1+exp((w-zgqeE)/kBT))) 这里 zg是等效电荷数。，k 为 gv 曲线中参数 bQ10定义：会利用已知的 Q10，计算速率常数随温度的变化；生物学中定义：Q10= k(T+10oC)/k(T), 这里代表速率常数。Eyring 速率定律：kTkexp(-G/RT). 用近似 T=273>>10.任意温度间隔的系数：QT=(Q10).其它术语：Rundown：全细胞模式下，由于胞内的小分子能量物质可以通过电极流失而导致通道电流在很短时间内减小或消逝，且不可恢复，可以在电极中加入 ATP, Mg，cAMP 等物质消除 Rundown 现象；Desensitization：加入 Ach 的几秒钟后，宏观终板电导减小或微观 Ach 电流减小。这个过程叫配体通道去敏感。Open Channel Block：当阻断剂在胞内有受体，而且仅当通道打开（去极化），才能阻断电流，也就是说当通道关闭时，TEA 不能阻断电流，电流上升逐渐不变，所以阻断发生在静息电位时（关闭态）就不能进入孔内。 Use-dependent block：局部麻药的阻断效应，随着刺激频率的加快而增强。Reopen：阻断剂 NMS 可以阻止 Na 通道失活和去激活，...
