半导体存储器和可编程逻辑器件VIP免费

第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1．ROM由主要由哪几部分组成？8-2．试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同？8-3．PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点？8-4．RAM由主要由哪几部分组成？各有什么作用？8-5．静态RAM和动态RAM有哪些区别？8-6．RAM和ROM有什么区别，它们各适用于什么场合？8-7．试用ROM实现下列组合逻辑函数。8-8比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同？8-9试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示，写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。图题8-98-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？8-12在下列应用场合，选用哪类PLD最为适合。（1）小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。（2）产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。（3）要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题8-108-13选择题1．一个容量为1K×8的存储器有个存储单元。A.8B.8KC.8000D.81922．要构成容量为4K×8的RAM，需要片容量为256×4的RAM。A.2B.4C.8D.323．寻址容量为16K×8的RAM需要根地址线。A.4B.8C.14D.16E.16K4．若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有条。A.8B.16C.32D.2565．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。A.8×3B.8K×8C.256×8D.256×2566.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。A.10行10列B.5行5列C.32行32列D.1024行1024列7．随机存取存储器具有功能。A.读/写B.无读/写C.只读D.只写8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。A.1B.2C.3D.89．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。A.4B.2C.3D.810．只读存储器ROM在运行时具有功能。A.读/无写B.无读/写C.读/写D.无读/无写11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。A.全部改变B.全部为0C.不可预料D.保持不变12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。A.全部改变B.全部为1C.不确定D.保持不变13．一个容量为512×1的静态RAM具有。A.地址线9根，数据线1根B.地址线1根，数据线9根C.地址线512根，数据线9根D.地址线9根，数据线512根14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。A.地址线B.数据线C.片选信号线D.读/写线15．PROM的与陈列（地址译码器）是。A.全译码可编程阵列B.全译码不可编程阵列C.非全译码可编程阵列D.非全译码不可编程阵列第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器8-2相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0或1。不同点：只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改。PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。8-3PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。8-4RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单元排列而成。在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。8-5静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态RAM的存储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周期性地对存储数据进行刷新8-6只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。随时读出数据或改写存储的数据，并且读/写数据的速度很快，因此，RAM多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但RAM在断电后，数据将全部丢失。8-7电路如图所示：8-8PAL有双极型熔丝工艺和E2CMOS两种工艺。前一种不能改写，后一种能改写。它们的输出电路的结构类型由型号决定，在一些定型产品中仍在...