扫描电子显微镜之--二次电子SE背散射电子BSE特征X射线VIP免费

扫描电子显微镜发展的核心任务，是追求对各种固体材料表面的高分辨形貌观察。形貌图像采用二次电子信号进行成像，图像分辨率和放大倍数连续可调，大景深，立体感强是其基本特色。然而实现扫描电镜的商品化，从扫描电镜发明和发展历史上看，自1935年Knoll研究二次发射现象，偶然观察到靶材的形状，到1965年商品化扫描电镜的推出，经历了30年。这期间对于扫描电镜成像信号的认识和利用是一个不断探索的试验研究过程。对成像信号进行深入研究，不断改进仪器性能，最后对成像信号理论有了全面认识，改进提升了了关键技术，图像分辨率有了显著提高，扫描电镜才得以以商品化的形式突飞猛进的发展。通过不断对电子光学电子枪，电磁透镜，以及信号探测及成像信号系统的改进，扫描电镜的分辨率虽然已经达到了很高水平，但距离电子光波的分辨率限度，还有非常大的发展空间。2010年报道，科学家已经研制出可以用在场发射电子枪上的六硼化镧针尖，据科学家介绍，这有望使得扫描电镜分辨能力有一个飞跃性提高。酷塞目北京办公室驰奔如果说对于电子束样品作用区发射信号的本质认识，发展和完善了扫描电镜性能和附属装置和装备。那么对于扫描电镜电镜应用者，对于不同信号与物质信息相互机制的深入认识，也是非常必要。酷塞目北京办公室驰奔扫描电子显微镜分析系统结构酷塞目北京办公室驰奔一、二次电子及成像机制原理酷塞目北京办公室驰奔定义：从样品中出射的能量小于50ev的电子。酷塞目北京办公室驰奔成因：二次电子是由于高能束电子与弱结合的导带电子相互作用的结果，这个相互作用的过程制造成几个电子伏的能量转移给导带电子，所引起的二次电子能量分布，在3-5ev处有一个数量峰值，当能量增加时，分布陡降。酷塞目北京办公室驰奔二次电子的出射深度：5-50nm酷塞目北京办公室驰奔二次电子产额δ=Ise/Ibeam酷塞目北京办公室驰奔1)、二次电子的产额与样品表面几何形貌（电子束入射角度）关系酷塞目北京办公室驰奔二次电子逃逸深度d与电子束产生二次电子的路程δ（θ）∝δ0/cosθ酷塞目北京办公室驰奔δ0为θ=0°时二次电子产额，为常数；酷塞目北京办公室驰奔θ为入射电子与样品表面法线之间的夹角，酷塞目北京办公室驰奔θ角越大，二次电子产额越高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。大角度倾斜，有利于提高图像信噪比和图像分辨率，对于非导电样品，可以减少减轻荷电的原因，在很大程度上可以免做导电处理，但不同的倾斜角度，对其他分析功能带来不方便。酷塞目北京办公室驰奔尖、棱、角处δ增加酷塞目北京办公室驰奔沟、槽、孔、穴处δ减小酷塞目北京办公室驰奔2）、二次电子的产额与样品作用区成分(平均原子序数）的关系酷塞目北京办公室驰奔加速电压为20kv，入射电子束beam直接二次电子产额酷塞目北京办公室驰奔碳成分：δb约为0.05酷塞目北京办公室驰奔Au成分：δb约为0.2酷塞目北京办公室驰奔绝大多数成分：δb约为0.1酷塞目北京办公室驰奔当加速电压为20KV时，二次电子产额约为束电子10%，与样品成分（原子序数）关系不大。出射样品表面的背散射电子的二次电子产额δbsη，一般δbsη/δb=3-5酷塞目北京办公室驰奔背散射电子产生的二次电子更多：酷塞目北京办公室驰奔Bse比垂直入射的初始电子束电子以比较小的角度到达表面，背散射电子比在二次电子平均逃逸深度的入射电子有较长的路程，在临界层产生较多二次电子。酷塞目北京办公室驰奔背散射电子与单一能量的入射束电子相比，能量分布向较低能量值伸展，低能电子容易产生二次电子，因此二次电子比入射电子更多。酷塞目北京办公室驰奔对于低原子序数基体，由初级束电子产生的二次电子信号占主要部分；高原子序数靶中，由背散射电子产生的二次电子为主要部分。（Everhart等人（1959）指出：入射电子产生的二次电子发生在λ/2的束电子轨迹内，对于金属，这个轨迹的距离为0.5nm，在接近表面的5λ逃逸范围内的入射电子，除了接近180°的高能背散射电子以外，基本上不会在样品中扩散，所以主要产生二次电子逃离区域的直径是入射电子的直径扩大λ倍；而由背散射电子产生的二次电子穿过整个背散射电子的逃逸区域而射出，这个区域...