选择性生长GaN薄膜的二氧化硅斜侧壁InGaN发光二极管Jinn-KongSheu,1,*Kuo-HuaChang,1Shang-JuTu,1Ming-LunLee,1,2Chih-CiaoYang,1Che-KangHsu,1andWei-ChihLai11光电科学与工程学院,先进的光电技术中心和中心为微/纳米科学与技术,国家成功大学,70101,台湾台南市2部门的光电工程、南台湾大学,台南,台湾*jksheu@mail.ncku.edu.tw文摘:在这项研究中,基于氮化镓发光二极管(led)和自然形成的斜侧壁(OSFs)是通过选择性再生过程制造。二氧化硅层是在掺杂n-GaN模板层而不是蓝宝石衬底。因此,外围的几个OSFsLED在GaN层。在处理过程中、干蚀刻对于曝光了ngan底层层以形成欧姆接触的n型是不必要的。这可能是由于这样的事实,即ngan模板层与一个电子浓度约8×1018/立方厘米被曝光后,去除了二氧化硅掩模层。与注入电流20mA,基于氮化镓发光二极管与OSFs表现出21%的增强在光输出与那些有垂直侧壁面。增强是因为光子提取OSFs可以减少内部吸收的损失。©2010美国光学学会OCIS代码:(230.3670)发光二极管;(230.0250)(230.5590)光电子学;量子阱设备。引用和链接1．e.f·舒伯特,发光二极管,pp.150-160(第二版,剑桥大学出版社、剑桥,英国,2006)。2．x。a.曹王圣洁Pearton,a.张平,g.t.铛,f.Ren,r.j.,l.Zhang出r·海克曼和j·m·范·霍夫,“电效应的等离子体损伤在pgan”,达成。》。列托人。75(17),2569(1999)。3．c·m·蔡,j·k·p·t·王,许凤,w·c·赖,sc.Shei王圣洁ChangKuo,c.h,c.w.郭,y.k.苏”、“效率高、防静电特性的改进基于氮化镓发光二极管与自然纹理的表面增加了金属有机化学气相沉积”,IEEE光子。工艺。列托人。18(11),1213-1215(2006)(参考文献〕。4．j·k·许凤,c.m.蔡,m.l.Lee,s.c和w·c·赖Shei,,“InGaN发光二极管与自然形成的截断micropyramids上表面,”达成协议。》。列托人。88(11),113505(2006)。5．c.s.Chang王圣洁Chang,c·t·y·k·苏·李,y,w·c·赖c.林,美国Shei,j.c.c,h.m.Lo柯”,基于氮化led灯与变形侧墙”,IEEE光子。工艺。列托人。16(3),750-752(2004)。6．js。李,j·李,美国金,和h.琼”,基于氮化镓发光二极管结构与单片集成侧壁偏转装置增强表面发射,“IEEE光子。工艺。列托人。18(15),1588-1590(2006)。7．c.c.Kao,h·c·郭,h·w·j·t·楚黄,y,y·l·c·彭谢长廷,c.y.c罗,美国王家声,玉,和c·f·林,”在一个氮化光输出增强基于发光二极管与22°削弱侧墙,“IEEE光子。工艺。列托人。17(1),19-21日(2005年)。8．j·k·许凤,j·m·蔡,s.c.Shei,w.c.赖,t.c,c·h·温口,y·k·苏王圣洁Chang和g·c·卡,“低-操作电压的InGaN/氮化镓发光二极管和硅掺杂In0。3ga0。7n/氮化镓短周期超晶格隧道接触层,“IEEE电子设备列托人。22(10),460-462(2001)。9．h.g.KimJeongCuongt.v.s.h,h,吴宇森,o.h.Cha,ek。Suh,ch。香港,h·k·赵,b.h.香港,和m.s.桢,“空间分布的皇冠形状的光发射从周期性倒多边形偏转器嵌入在一个InGaN/氮化镓发光二极管,“达成。》。列托人。92(6),061118(2008)。在GaN/蓝宝石基板上通过气象汽相外延,“j.结晶的。增长144(3-4),133-140(1994)。10。y加藤,s北村,k,n.SawakiHiramatsu,“选择性生长氮化镓的纤锌矿和AlxGa1xN11．m·l·李,j·k·c·c·胡许凤,,“NonalloyedCr/非盟建立欧姆接触到n-gan”,达成。》。列托人。91(18),182106(2007)。#134305-15.00美元美元2010年8月31日收到;修订2010年9月29日,接受了2010年9月30日,2010年10月11日发布(C)2010年11月8日2010/卷阻塞性睡眠呼吸暂停综合症。18日,没有。A562S4/光学表达12．c·f·林,h·c·g·c·气Cheng,c.j.布鲁里溃疡,和m.s.冯,“改善接触性能的氮化镓薄膜使用硅扩散,“达成。》。列托人。76(14),1878(2000)。13．j·k·许凤,g.c.太极,“掺杂工艺和掺杂剂特点的赣、“j。14、R657》(2002)。1．介绍决定发光二极管(LED)的外部量子效率(EQE)原因不只是通过的内部量子效率，而且也与活动层光子的萃取效率(LEE)有关。光子从高折射率半导体材料转移到低折射率材料的物质,如从空气到树脂[1]。相当一部分的能量被用来克服由LED的内部反射造成的大量的光子损失。一个大的临界角或粗糙表面对于提高光子生成在发光二极...
