实验四PIN光电二极管特性测试一、实验目的一、学习把握PIN光电二极管的工作原理二、学习把握PIN光电二极管的大体特性3、把握PIN光电二极管特性测试的方式4、了解PIN光电二极管的大体应用二、实验内容一、PIN光电二极管暗电流测试实验二、PIN光电二极管光电流测试实验3、PIN光电二极管伏安特性测试实验4、PIN光电二极管光电特性测试实验五、PIN光电二极管时刻响应特性测试实验六、PIN光电二极管光谱特性测试实验三、实验器材一、光电探测综合实验仪1个二、光通路组件1套3、光照度计1台4、PIN光电二极管及封装组件1套五、2#迭插头对(红色,50cm)10根六、2#迭插头对(黑色,50cm)10根7、三相电源线1根八、实验指导书1本九、示波器1台四、实验原理光电探测器PIN管的静态特性测量是指PIN光电二极管在无光照时的P-N结正负极、击穿电压、暗电流Id和在有光照的情形下的输入光功率和输出电流的关系(或响应度),光谱响应特性的测量
图5-1PIN光电二极管的结构和它在反向偏压下的电场散布图5-1是PIN光电二极管的结构和它在反向偏压下的电场散布
在高搀杂P型和N型半导体之间生长一层本征半导体材料或低搀杂半导体材料,称为I层
在半导体PN结中,搀杂浓度和耗尽层宽度有如下关系:LP/LN=DN/DP其中:DP和DN别离为P区和N区的搀杂浓度;LP和LN别离为P区和N区的耗尽层的宽度
在PIN中,如关于P层和I层(低搀杂N型半导体)形成的PN结,由于I层近于本征半导体,有DN