半导体工艺复习题VIP免费

(完好版)半导体工艺复习题..填空20’简答20’判断10’综合50’第一单元1.必定温度，杂质在晶体中拥有最大均衡浓度，这一均衡浓度就称为何？固溶度2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（有坩埚：直拉法、磁控直拉法无坩埚：悬浮区熔法3.外延工艺按方法可分为哪些？（P37）P24）气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延4.Wafer的中文含义是什么？当前常用的资料有哪两种？晶圆；硅和锗5.自混杂效应与互扩散效应（P47-48）左图：自混杂效应是指高温外延时，高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层，扩散掺入外延层的现象。自混杂效应是气相外延的本征效应，不行能完好防止。自混杂效应的影响：○1改变外延层和衬底杂质浓度及散布○2对p/n或n/p硅外延，改变pn结地点又从界限层右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散，惹起(完好版)半导体工艺复习题..衬底与外延层界面邻近的杂质浓度迟缓变化的现象。不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消逝）6.什么是外延层？为何在硅片上使用外延层？1)在某种状况下，需要硅片有特别纯的与衬底有同样晶体构造的硅表面，为外延层。2)在硅片上使用外延层的原由是外延层在优化在适中的电流强度下提升了器件速度。pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，由于跟着器还要保持对杂质类该膜层称型和浓度的控制，经过外延技术在硅表面堆积一个新的知足上述要求的晶体膜层，外延在CMOS集成电路中变得重要起来，件尺寸不停减小它将闩锁效应降到最低。外延层往常是没有玷辱的。7.常用的半导体资料为何选择硅？1）硅的充裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的纯到半导体系造所需的足够高的纯度而耗费更低的成本。2）更高的融化温度同意更宽的工艺容限。硅应用范围和靠谱性。25%；经合理加工，硅能够提1412℃>锗937℃。3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件能够用于比锗更宽的温度范围，增添了半导体的4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳固的电绝缘资料，并且能充任优良的化学阻拦层以保护硅不受外面沾污；氧化硅拥有与硅近似的机械特征，同意高温工艺而不会产生过分的硅片翘曲。8.液相混杂浓度计算（P29）第二单元1.二氧化硅构造中的氧原子可分为哪几种？（桥键氧原子和非桥键氧原子2.SiO的遮蔽作用2P66）硅衬底上的SiO2作掩膜要求杂质在SiO2层中的扩散深度Xj小于SiO2自己的厚度XSiO2xSiO2xjxjx'jDSiO2DSiDDSi2SiO1(完好版)半导体工艺复习题..D遮蔽条件SiDSiO12SiO2作掩膜的最小厚度xminADSiOt23.杂质在硅中的扩散方式有哪些？恒定表面源扩散和限制表面源扩散4.半导体工艺技术的主要混杂工艺包含哪两种？扩散和离子注入5.注入离子在耙内的能量损失的过程？（撞（electronicstopping）6.氧化物有哪两个生长阶段？（化学反响控制阶段和扩散控制阶段7.离子注入是独一能够精准控制混杂的手段（√）8.什么是杂质分凝效应和分凝系数？（P87）P130）注入离子在靶内的能量损失分为两个相互独立的过程：核碰撞（nuclearstopping）和电子碰P77）任何一种杂质在不一样相中的溶解度是不同样的，当两个相密切接触时，本来存在某一相中的杂质将在两相之间从头分派，直到在两相中浓度比为某一常数为止，即在界面两边的化学势相等，这类现象称为分凝现象。分凝系数是权衡分凝效应强弱的参数。9.离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因此在几乎全部应用中都优于扩散。10.硅中的杂质只有一部分被真实激活，并供给用于导电的电子和空穴（大概数杂质仍旧处在空隙地点，没有被电学激活。（√）（×）3%-5%），大多11.离子注入会将原子撞击出晶格构造而损失硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损害部分或许绝大多半获得除去，掺入的杂质也能获得必定比率的电激活。12.什么是扩散工艺？（P98）扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约使杂质向衬底硅片确实定地区内扩散，艺方法，也称为热扩散。13.氧化加强扩散/氧化阻滞扩散1000℃的高温、p型或n型杂质氛围中，达到必定浓度，实现半导体定域、定量混杂的一种工（√）(完好版)半导体工艺复习题..氧化加强扩散：硼在氧化氛围中的扩散...