第一周作业返回1单选(1分)在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?A.（100）B.（111）C.（110)D.(211)正确答案：B解析：B、硅的解理面是（111），在（111）面上两[111]晶向相交呈60o2多选(1分)关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确A.可以多次缩颈B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸正确答案：A、C、D解析：A、目的是彻底终止线缺陷等向晶锭的延伸3判断(1分)在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭正确答案：对解析：因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故4单选(1分)磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：A.轴向均匀B.轴向递减C.轴向递増D.径向递减正确答案：B解析：B、因为掺入硅锭的杂质是轴向递增的。5填空(1分)拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。正确答案：O或氧第二周作业返回1填空(1分)外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长薄膜。正确答案：晶体或单晶2判断(1分)如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。正确答案：错解析：只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。3填空(1分)VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面正确答案：硅片表面4单选(1分)VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：A.自掺杂效应B.互扩散效应C.衬底表面没清洗干净的缘故。D.掺杂气体不纯正确答案：B解析：B、在外延过程中外延层重掺杂n型杂质扩散进入轻掺杂衬底。5多选(1分)在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？A.MBEB.VPE、LPEC.UHV/CVDD.SEG、SPE正确答案：A、C第三周作业返回1单选(1分)通常掩膜氧化采用的工艺方法为：A.干氧B.低压氧化C.干氧-湿氧-干氧D.掺氯氧化正确答案：C解析：C、既有较好的质量，利于光刻；又有较快的氧化速率2多选(1分)关于氧化速率下面哪种描述是正确的：A.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.（111）硅比（100）硅氧化得快D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低E.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律正确答案：A、B、C3判断(1分)制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。正确答案：错4填空(1分)热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）正确答案：水汽、湿氧、干氧5填空(1分)热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）正确答案：分凝第四周作业返回1单选(1分)A.图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散B.图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散C.图（a）、（b）都是限定源扩散D.图（a）、（b）都是恒定源扩散正确答案：C解析：C、限定源扩散，时间越长，结深越深，表面浓度就越低；温度越高，结深也越深，表面浓度也降低越快。2单选(1分)扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。A.大，场助扩散B.大，氧化增强C.小，横向扩散D.大，横向扩散正确答案：D3多选(1分)扩散系数在何时不可以看成是常数：A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。B.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。C.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；D.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；正确答案：B、C4判断(1分)CC一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。正确答案：错5填空(1分)在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）正确答案：104第五周作业返回1单选(1分)在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是。当偏离晶向ψc注入时，可以避免。A.沟道效应...
