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模拟、数字电子及电力电子第一天目录第一章模拟电子基础知识第二章直接耦合放大器及反馈要点一：半导体第一章基础知识杂质半导体分：电子型（N型）半导体空穴型（P型）半导体N型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素。自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。P型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素。空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。Ｎ型半导体中空穴是少子，电子是多子。Ｐ型半导体中空穴是多子，电子是少子。1．空穴为少子的的半导体称为A．P型半导体B．N型半导体C．纯净半导体D．金属导体2．本征半导体硅或者锗中掺入微量三价元素后，其中多数载流子是A．自由电子B．空穴C．正离子D．负离子3．N型半导体的多数载流子是A．自由电子B．空穴C．正离子D．负离子4．杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于A．掺杂浓度B．制造工艺C．晶体结构D．温度（Ｂ）（Ｂ）（Ａ）（Ｄ）要点二：二极管多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动。（１）PN结的形成漂移运动和扩散运动的方向相反。二极管正向导通状态时，其两端电压：硅材料：0.6---0.8V锗材料：0.1---0.3V（2）PN结的单向导电性PN结外加正向电压：PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏。PN结外加反向电压：PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏。结论：PN结外加正向电压导通，加反向电压截止，即PN结具有单向导电性电流二极管的结构及符号1.有关二极管单向导电性的说法正确的是（）A.正偏时，通过的电流小，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻小B.正偏时，通过的电流大，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻小C.正偏时，通过的电流小，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻大D.正偏时，通过的电流大，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻大D2.图中二极管为理想器件，VD1、VD2的导通情况为（）A.VD1截止，VD2导通B.VD1导通，VD2导通C.VD1截止，VD2截止D.VD1导通，VD2截止VD1VD23V6V3kΩA３.二极管的最主要特征是。４.硅材料二极管导通时，其两端电压为伏，锗材料二极管导通时，其两端电压为伏。５.半导体二极管的反向饱和电流越，说明该二极管的单向导电性越好６.硅二极管的死区电压约为伏，锗二极管的死区电压约为伏。７．全波及桥式整流情况下，输出电压平均值_____________8.限流电阻R的选择应满足两个条件，一是稳压管流过最小电流应____________稳定电流，二是稳压管流过最大电流应_______最大稳定电流。单向导电性0.6----0.80.1----0.3小0.50.122.1UuL大于等于小于要点三：半导体三极管及基本放大电路三极管实现放大的外部条件是：发射结必须加正向电压（正偏），集电结必须加反向电压（反偏）。符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。BEIIICBCII一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，分别介绍。①截止区（a）发射结和集电结均反向偏置；（b）=0,近似为0；（c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。CIBI②放大区:输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。（a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置（b）集电极电流几乎仅决定于基极电流，即而与无关。CIBIBCIIECU③饱和区（a）三极管的发射结和集电结均正向偏置；（b）三极管的电流放大能力下降，通常有<β；（c）UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.4V，锗三极管的UCES约为0.2V；（d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。CIBI放大电路静态工作点的分析估算法bRUVIBEQCCBQ)禇管(3.0~1.0（硅管）8.0~6.0因为VVUBEQb所以RVICCBQBQQIICCCQCCCEQRIVU三极管简化的微变等效电路EQbbbeIrrmV26)1(becberbibibeUceU放大电路的动态分析'''''//ibbeocLbLLcLobLLuibbebeuiruiRiRRRRuiRRAuirriouuuA电压放大倍数输入电阻ibbeiibbeii(//)//iRruRR...