工艺流程D/B焊接方式：a压力共晶焊（Eutectic)在一定的压力，时间和高温作用下，晶片背面的金和LDF表面的镀银加热到其共熔液相线区域，形成金银合金的铺金/浸润/熔湿(wetting)，并把芯片粘贴到LDF表面。Wetting435℃共晶焊接通常在热氮氢混合气的保护下进行FormingGas:95%N2+5%H2/90%N2+10%H2N2:保护气体H2:还原气体优点：高效、快速（MaxUPH:24k/hour)缺点：浸润不良的结合(PoorSi-R)将导致空洞的存在使接合强度与热传导性降低，同时也会造成应力分布不均匀而导致晶片破裂损坏；只适用于较小Size的晶片焊接(通常Size≤1.0mm)；高温导致吸嘴(Collet)的磨损加剧,寿命减短；高温会对某些晶片产品有损伤（如Moseft）三要素：压力、时间、温度b银胶焊（Epoxy)导电银胶：Silverpaste(环氧树脂与70%的银粉）非导电银胶：陶瓷填充物二氧化矽(silica)、氮化硼(boronnitride)等或聚四氟乙烯(teflon)等高分子填充物粉粒。优点：高分子材料与铜框架LDF材料的的热膨胀系数相近，有助于减小芯片与LDF间的应力，热传导性及导电性好，可用于较大SIZE芯片缺点：速度较慢（UPH≤15k/hour）需要增加Curing工艺以固化银胶。银迁移的现象和空洞（void）的存在热稳定性不良与易导致有机成分的泄漏会影响封装的可靠性材料：LDFIndexHole索引孔FlagStrip放置芯片的地方PostLead引出端Tie-Bar连接柱Runner滑行架HalfMoon半月孔D/B机器组织结构D/B工作步骤：PickUpTimingChartPickupSetting(Collet&Needle)WB:焊接方式：1)热压(thermocompressionbonding,T/C)（铝线焊接）2)超声波热压接方式(thermosonic&ultrasonicbonding,U/S&T/S)在一定的压力、超声和温度共同作用一定时间下，将金球压接在芯片的铝盘焊接表面(金丝球焊)材料：金线20---100um铝线Al-1wt%Si合金线高纯度铝线（20—50um）（100—500um）铜线20---80um要素：压力、超声波、温度、时间焊接过程焊线产品的产品的可靠性测试：a、拉力测试wirepulltestb、球剪切测试ballsheartestWirepull和ballshear测试数值大小与金线线径大小相关。金线弧形的形状、高度及长短与整个封装产品的大小相关。对一样的金线，不同的弧形会有不同的拉力、断点与耐冲击性，较长弧形直接影响到molding时是否会有冲丝的现象，形成金线偏移（wiresweep）；较短弧形易于焊接点及线弧产生较大应力，造成接点的缺陷。金线与铝垫的结合面，会有金-铝的介金属化合物生成，通常为AuAl2(紫色)与Au5Al2(白色)，这些介金属化合物特性脆硬，导电传热性能降低，影响可靠性，WB时应加以控制，如其过度成长，即形成紫班、白斑及彩虹现象焊线结合的可靠度一般情况下受应力变化、线材与封装的密封性及与焊接表面的反应、腐蚀、介金属化合物的形成所导致的疲劳与潜变等因素的影响。其中以介金属化合物的形成为焊线接合破坏最主要的原因。常见的介金属化合物有金线与铝垫接合界面所产生的紫斑（PurplePlague,由AuAl2所造成）白斑（WhitePlague,由Au5Al2所造成）彩虹（两种介金属化合物共生）此外，由于不同的焊接材料交互扩散过程中产生的Cratering孔洞也是影响可靠度的重要原因，这是由于过度焊接引起。由于材料反应对焊线结合的可靠度有重要影响，因此对结合时间、温度等制程条件要加以妥善控制，以避免这些破坏因素的形成焊接因素对焊接可靠性的影响：焊接温度Temperature:LDF及焊垫的加热，辅助焊接，有利于金线与焊材的结合，但过高的温度容易导致过度焊接及介金属化合物的过度增长，形成紫斑、白斑、彩虹及凹坑等焊接压力Force:第一焊点球形的形成及第二焊点线尾的切断，保持劈刀在焊接过程中的稳定性，实际大小与金线线径及焊材表面材料硬度等有关，适度大小可辅助焊接，过大则制约焊接的形成。超声USG-Power:形成焊接，焊接的最主要因素，加强金线与焊材之间的共渗，形成牢靠的焊接，如过大将影响球形也会导致过度焊接及紫斑、凹坑的形成焊接时间BondTime：焊接作用(USG)的时间，加强焊接，对ballshear影响比较大WB工作时序BQMSetup(ASM)1、Displaytuneinformation2、RiseTime(ms)223、1stBondPowerLevelHigh/Low4、2ndBondPowerLevelHigh/Low5、1stBondPowerControlNormal/Const-I...
