单晶硅太阳能电池生单晶硅太阳能电池生产工艺产工艺工艺流程及各环节工艺目的和原理工艺流程及各环节工艺目的和原理工艺流程工艺流程清洗制绒清洗制绒(超声波清洗→减薄→喷淋→绒面)(超声波清洗→减薄→喷淋→绒面)→→(喷淋→酸洗→喷淋→漂洗→喷淋→甩干)→(喷淋→酸洗→喷淋→漂洗→喷淋→甩干)→扩扩散散(合片→扩散→卸片)(合片→扩散→卸片)→→刻蚀刻蚀(叠片→上夹具→刻蚀→插片(叠片→上夹具→刻蚀→插片)→)→洗磷洗磷(去(去磷硅玻璃→喷淋→甩干)→磷硅玻璃→喷淋→甩干)→PECVDPECVD→→丝网印刷丝网印刷[[丝印丝印11(背极)→丝印(背极)→丝印22(背场)(背场)→丝印→丝印33(栅极)(栅极)]→]→烧结烧结(试烧→批量烧结)(试烧→批量烧结)超声波清洗超声波清洗机械切片以后会在硅片表面形成机械切片以后会在硅片表面形成10—4010—40微米的损伤层,且表面有油脂、松香、石微米的损伤层,且表面有油脂、松香、石蜡、金属离子等杂质
蜡、金属离子等杂质
工艺目的;主要是去除油脂、松香、石蜡工艺目的;主要是去除油脂、松香、石蜡等杂质
工艺原理;超声振动使油珠滚落,物理去工艺原理;超声振动使油珠滚落,物理去油
条件;去离子水一定量,温度条件;去离子水一定量,温度60—60—90℃90℃,时间,时间10—40min10—40min
超声波清洗机超声波清洗机设备要求:稳定性设备要求:稳定性好,精确度高(温好,精确度高(温度、时间),操作度、时间),操作方便(换水方便)
方便(换水方便)
减薄减薄工艺目的;去除表面损伤层和部分杂质
工艺目的;去除表面损伤层和部分杂质
工艺原理;利用硅在工艺原理;利用硅在浓浓NaOHNaOH溶液中的各向溶液中的各向同性腐蚀除去损伤层
同性腐蚀除去损伤层
Si+2NaOH+HSi+2NaOH+H22O=NaO=Na22Si