单晶硅太阳能电池生单晶硅太阳能电池生产工艺产工艺工艺流程及各环节工艺目的和原理工艺流程及各环节工艺目的和原理工艺流程工艺流程清洗制绒清洗制绒（超声波清洗→减薄→喷淋→绒面）（超声波清洗→减薄→喷淋→绒面）→→（喷淋→酸洗→喷淋→漂洗→喷淋→甩干）→（喷淋→酸洗→喷淋→漂洗→喷淋→甩干）→扩扩散散（合片→扩散→卸片）（合片→扩散→卸片）→→刻蚀刻蚀（叠片→上夹具→刻蚀→插片（叠片→上夹具→刻蚀→插片)→)→洗磷洗磷（去（去磷硅玻璃→喷淋→甩干）→磷硅玻璃→喷淋→甩干）→PECVDPECVD→→丝网印刷丝网印刷[[丝印丝印11（背极）→丝印（背极）→丝印22（背场）（背场）→丝印→丝印33（栅极）（栅极）]→]→烧结烧结（试烧→批量烧结）（试烧→批量烧结）超声波清洗超声波清洗机械切片以后会在硅片表面形成机械切片以后会在硅片表面形成10—4010—40微米的损伤层，且表面有油脂、松香、石微米的损伤层，且表面有油脂、松香、石蜡、金属离子等杂质。蜡、金属离子等杂质。工艺目的；主要是去除油脂、松香、石蜡工艺目的；主要是去除油脂、松香、石蜡等杂质。等杂质。工艺原理；超声振动使油珠滚落，物理去工艺原理；超声振动使油珠滚落，物理去油。油。条件；去离子水一定量，温度条件；去离子水一定量，温度60—60—90℃90℃，时间，时间10—40min10—40min。。超声波清洗机超声波清洗机设备要求：稳定性设备要求：稳定性好，精确度高（温好，精确度高（温度、时间），操作度、时间），操作方便（换水方便）。方便（换水方便）。减薄减薄工艺目的；去除表面损伤层和部分杂质。工艺目的；去除表面损伤层和部分杂质。工艺原理；利用硅在工艺原理；利用硅在浓浓NaOHNaOH溶液中的各向溶液中的各向同性腐蚀除去损伤层。同性腐蚀除去损伤层。Si+2NaOH+HSi+2NaOH+H22O=NaO=Na22SiOSiO33+2H+2H22↑↑工艺条件；生产常用工艺条件；生产常用NaOHNaOH溶液质量分数为溶液质量分数为20%20%左右，温度左右，温度85±5℃85±5℃，时间，时间0.2—3min0.2—3min具体据原始硅片的具体据原始硅片的厚度厚度和表面和表面损伤损伤情况而定。情况而定。绒面绒面目的；制作绒面，减少反射，提升硅片对光吸收效率。目的；制作绒面，减少反射，提升硅片对光吸收效率。原理；利用原理；利用SiSi在稀在稀NaOHNaOH溶液中的各向异性腐蚀，溶液中的各向异性腐蚀，在硅片表面形成无数个在硅片表面形成无数个3—63—6微米的金字塔结构，这样微米的金字塔结构，这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射，增加了对光照在硅片表面便会经过多次反射和折射，增加了对光的吸收。光的吸收。条件；生产常用条件；生产常用NaOHNaOH质量分数质量分数1%1%左左右，右，NaNa22SiOSiO331.5%—2%1.5%—2%，乙醇或异丙醇每次约加，乙醇或异丙醇每次约加200—400ml(50L200—400ml(50L混合液）。温度混合液）。温度85±5℃,85±5℃,时间时间15—45min15—45min，具体工艺据硅片种类、减薄后厚度和上，具体工艺据硅片种类、减薄后厚度和上次生产情况而定。次生产情况而定。质量目标：绒面后硅片表面颜色深灰无亮点、均匀、质量目标：绒面后硅片表面颜色深灰无亮点、均匀、气泡印小，无篮脚印、白花等现象。气泡印小，无篮脚印、白花等现象。400400倍显微镜下倍显微镜下大小符合标准，倒金字塔结构均匀。大小符合标准，倒金字塔结构均匀。酸洗酸洗目的；去除硅片表面金属离子和绒面后的目的；去除硅片表面金属离子和绒面后的残留药液，残留药液，原理；主要利用的是酸碱中和反应。原理；主要利用的是酸碱中和反应。条件；条件；10%10%盐酸，时间盐酸，时间10min10min漂洗漂洗目的；去除氧化层（目的；去除氧化层（SiOSiO22）。）。原理；原理；SiOSiO2+6HF=H+6HF=H2SiFSiF66+2H+2H22O条件；条件；HFHF溶液溶液8%—10%8%—10%，时间，时间10min10min。。注★清洗工艺每个小环节之后，均需用去离子水注★清洗工艺每个小环节之后，均需用去离子水将硅片冲洗干净，以免残留药液影响倒下个小环将硅片冲洗干净，以免残留药液影响倒下个小环节的正常进行。节的正常进...
