第第22章逻辑门电路章逻辑门电路第第22章逻辑门电路章逻辑门电路2
1分立元件门电路2
2集成逻辑门电路2
3组合逻辑电路的分析方法2
4组合逻辑电的设计方法5V2V0V0
8VVHVL概述1、高电平、低电平低电平高电平3
2V2、逻辑赋值VH-------1VL-------0正逻辑体系VH-------0VL-------1负逻辑体系3、高低电平获取方法开关+5V5VVH1+5V0VVL044、半导体器件的开关特性、半导体器件的开关特性理想开关理想开关•开关打开时:漏电流为零•开关闭合时:导通电压为零,导通电阻为零I=0U=0,R=0•开关动作在瞬时完成机械开关电子开关11))二极管的开关特性二极管的开关特性+5V+Vi-D+Vo-R1、二极管导通:Vi=0V时,D正向导通,Vo=0
7V,相当于开关闭合
2、二极管截止:Vi=5V时,D反向截止,Vo=5V,相当于开关打开
44、半导体器件的开关特性、半导体器件的开关特性22))三极管的开关特性三极管的开关特性1)三极管截止Vi=0V时,T截止,IB=0,IC≈0,VCE≈Vcc,Vo=5V,三极管CE间相当于断开的开关
+5VRcRbT+Vi-+Vo-IBIC2)三极管饱和导通Vi=ViH时,IB=(Vi-0
7)/Rb,ICS≈Vcc/Rc,IBS=ICS/β,当IB>IBS时,三极管饱和导通VCE=VCES=0
2V,Vo=0
2V,三极管CE间相当于闭合的开关
33))MOSMOS管的开关特性管的开关特性+VDDRDRGT+Vi-+Vo-IGID1)MOS管截止Vi=0V时:VGS<VGS(th),MOS管工作在截止区,ID=0,MOS管DS间相当于断开的开关Vo=VDD2)MOS管导通Vi=VDD时:VGS>VGS(th),VGD>VGS(th),MOS管工作于可变电阻区,RON<1KΩ,MOS管DS