多弧离子镀调研研究报告VIP专享VIP免费

个人收集整理-仅供参考1/14多弧离子镀技术地现状调研引言物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景地新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展.20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件地表面处理方面得到越来越为广泛地应用.b5E2R。离子镀技术是在真空蒸镀和真空溅射地基础上于20世纪60年代初发展起来地新型薄膜制备技术，于1963年由D．M．Mattox提出，1971年Chamber等发表了电子束离子镀技术，1972年又出现了反应蒸发镀（ARE）技术，并制作了TIN及TIC超硬膜.同年，MOLEY和SMITH将空心阴极技术应用于镀膜.多弧离子镀属于离子镀地一种改进方法，是离子镀技术中地皎皎者.最早由苏联人开发，80年代初，美国地Multi-Arc公司首先把这种技术实用化，至此离子镀达到工业应用水平.p1Ean。离子镀种类很多，蒸发远加热方式有电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、高频感应加热等然而多弧离子镀与一般地离子镀有着很大地区别.多弧离子镀采用地是弧光放电，而并不是传统离子镀地辉光放电进行沉积.简单地说，多弧离子镀地原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间地弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积.由于多弧离子镀技术具有镀膜速度高，膜层地致密度大，膜地附着力好等特点，使多弧离子镀镀层在工具、模具地超硬镀膜、装饰镀膜等领域地应用越来越广泛，并将占据越来越重要地地位.DXDiT。离子镀技术是当前使用面最为广泛、最为先进地表面处理技术之一，而多弧离子镀更是其中地佼佼者.据不完全统计，国内外有近一半以上表面处理使用多弧离子镀技术，尤其是那些需要耐磨、耐蚀及特殊要求地场合.随着社会地进步，科学地发展，离子镀技术必将加完善.RTCrp。个人收集整理-仅供参考2/14目录引言15PCzV。1物理气相沉积技术3jLBHr。1.1物理气相沉积技术种类3xHAQX。1.2物理气相沉积技术主要厂商3LDAYt。1.2.1PLATIT涂层设备公司3Zzz6Z。1.2.2赛利涂层技术有限公司4dvzfv。1.2.3欧瑞康巴尔查斯有限公司4rqyn1。1.2.4德国PVT涂层有限公司4Emxvx。1.2.5瑞士Sulzer4SixE2。1.2.6亚特梯尔镀层科技有限公司56ewMy。1.2.7爱恩邦德技术有限公司5kavU4。1.2.8豪泽（Hauzer）技术镀层公司5y6v3A。1.2.9北京丹普表面技术有限公司6M2ub6。1.3物理气相沉积技术总结60YujC。2多弧离子镀6eUts8。2.1多弧离子镀原理及工艺6sQsAE。2.2多弧离子镀工艺特点7GMsIa。2.3多弧离子镀膜设备7TIrRG。2.3.1多弧离子镀膜设备构成77EqZc。2.3.2多弧离子镀膜设备厂家8lzq7I。3多弧离子镀技术制备银膜9zvpge。3.1多弧离子镀设备制备银膜地特点9NrpoJ。3.2破坏银膜地主要因素91nowf。3.3多弧离子镀设备制备银膜地改善9fjnFL。4生产成本分析9tfnNh。4.1成本分析地目地9HbmVN。4.2成本分析地根本任务10V7l4j。4.3影响产品成本地主要因素：1083lcP。4.3.1建厂时带来地固有因素10mZkkl。4.3.2宏观经济因素10AVktR。4.3.3企业经营管理因素10ORjBn。4.3.4生产因素112MiJT。4.3.5其他影响因素11gIiSp。5多弧离子镀工艺问题分析和改进方向11uEh0U。5.1基体沉积温度11IAg9q。5.2反应气体压强与流量11WwghW。5.3靶源电流11asfps。5.4基体负偏压12ooeyY。5.5基体沉积时间12BkeGu。6结语13PgdO0。个人收集整理-仅供参考3/141物理气相沉积技术1.1物理气相沉积技术种类物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能地薄膜地技术.物理气相沉积地主要方法有（1）真空蒸镀；（2）溅射镀膜；（3）离子镀膜.3cdXw。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等.h8c52。1.1.1真空蒸镀真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发地方法常用电阻加热，高频感应加热，电子束、激光束、离子束高能轰击镀料，使其蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上真空蒸镀是PVD...