,=KtIGBT模块参数详解二-IGBT动态参数IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据,本文重点讨论以下动态参数:模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数,结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能
RGint:模块内部栅极电阻:为了实现模块内部芯片均流,模块内部集成有栅极电阻
该电阻值应该被当成总的栅极电RGext:外部栅极电阻:外部栅极电阻由用户设置,电阻值会影响IGBT的开关性能
IQ=450A,VGE=900VKj=25'CVGE=±15VTVJ=1258CRGWI=3^3Q阻的一部分来计算IGBT驱动器的峰值电流能力
上图中开关测试条件中的栅极电阻为Rgext的最小推荐值
用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的Rgon和Rgoff
尺曲=&〃尽'尺却=R》MinimumRMinimumR®述forDrivercapability已知栅极电阻和驱动电压条件下,IGBT驱动理论峰值电流可由下式计算得到,其中栅极电阻值为内部及外部之和
^GE{on)~^GE{off}^Gdrrpeak:—n丄口实际上,受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性,计算出的峰值电流无法达到
如果驱动器的驱动能力不够,IGBT的开关性能将会受到严重的影响
最小的Rgon由开通di/dt限制,最小的Rgoff由关断dv/dt限制,栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成IGBT及二极管的损坏
CGEdi/dtdv/di/dtdv/dtCge:外部栅极电容:高压IGBT—般推荐外置Cge以降低栅极导通速度,开通的di/dt及dv/dt被减小,有利于降低受di/dt影响的开通损耗
Is=BOOA
VCE=1300V
dl/dt=420QA