一个新的基于忆阻器的超混沌系统及其电路实现尹玮宏1,王丽丹1,,段书凯11西南大学物理科学与技术学院电子信息工程学院重庆中国400715摘要忆阻器被认为是第四个基本电路元件,它除了是下一代非易失性存储中有竞争力的候选器件外,由于拥有超越其它元件的超级性能,还能构建具有复杂动力学的非线性电路
特别地,新的基于忆阻器的混沌振荡器的实现已成为非线性电路设计的范例
本文首先推导两个基于磁控忆阻器模型的串联忆阻器的特性及磁通电荷关系
然后通过使用这个忆阻系统获得一个新颖的四维超混沌系统,它有两个正的李雅普诺夫指数
通过观察各种混沌吸引子、功率谱和分岔图可看到丰富的动力学现象
最后,建立了模拟该系统的SPICE电路
SPICE仿真结果与数值分析一致,这进一步显示了该超混沌系统的混沌产生能力
关键词:忆阻器,超混沌系统,混沌吸引子,电路实现1引言忆阻器(Memristor)是一种非线性无源元件,具有非线性和非易失性
几年来的研究工作取得了可喜的进展,各种基于忆阻器的应用成为了研究的热点
2008年,惠普实验室的科学家在《Nature》上发表论文宣称,成功制成了第一个物理实现的忆阻器[1],证实了37年前加州大学蔡少棠(LeonO
Chua)教授的推测[2]
此后,忆阻器受到了广泛的关注和研究
忆阻器的体积小,功耗低,因此忆阻器是混沌中非线性电路部分的理想选择[3],各种基于忆阻器的混沌系统得到了研究人员的密切关注[4-7]
基于忆阻器的混沌系统应当具有以本项目受到新世纪优秀人才支持计划(教技函[2013]47号),国家自然科学基金(61372139,61101233,60972155),教育部“春晖计划”科研项目(z2011148),留学人员科技活动项目择优资助经费(国家级,优秀类,渝人社办〔2012〕186号),重庆市高等学校优秀人才支持计划(渝教人〔2011〕65号),重庆市高等学校