1/4CMOS反相器静态CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)反相器是目前最普遍的反相器，其电路图如图1所示，当Vin为高并等于VDD时，NMOS管导通而PMOS管截止，此时在Vout的接地节点之间存在直接通路，形成一个稳态值0V。相反，当输入电压为低（0V）时，NMOS关断而PMOS管导通，VDD和Vout之间存在一条通路，产生一个高电平输出电压。由此实现反相器的功能。图1.静态CMOS反相器电路静态CMOS反相器具有以下许多特性：（1）输出高电平和低电平分别为VDD和GND，摆幅为电源电压，噪声容限大；（2）逻辑电平与器件的相对尺寸无关；（3）具有低的输出阻抗，使它对噪声和干扰不敏感；（4）输入阻抗极高，缘于MOS管的栅实际上是一个绝缘体；（5）稳态工作下的电源线和地线之间没有直接的通路，在忽略漏电流的情况下意味着该门不消耗任何静态功率。反相器的电压传输特性(VTC)可以通过图解法迭加NMOS管和PMOS管的电流特性来得到，最终如图2所示。图2.CMOS反相器的VTC门的输出电容CL事实上包括NMOS和PMOS管的漏扩散电容、连线电容以及扇出门的输入电容。门的响应时间由通过管子的导通电阻Rp(或者Rn)充放电容CL所需要的时间决定，传播延迟正比于RC。这意味着可以通过减少输出电容或者减小晶体管的导通电阻实现快速响应。应当注意，NMOS和PMOS晶体管的导通电阻不是常数，而是晶体管的两端电压的非线性函数，确切决定传播延时较为复杂。反相器稳定性的评估，静态特性：1.开关阈值VMVM定义为Vin=Vout的点，在这一区域VDS=VGS，PMOS和NMOS总是饱和，使通过两晶2/4体管的电流相等，得到VM表达式如下（器件处于速度饱和状态即VDSAT
