晶体分类:离子晶体,共价晶体,分子晶体,金属晶体
共价键特点:饱和性和方向性
硅属于间接能隙半导体
半导体分为本证半导体和杂质半导体,杂质填充方式有间隙和替位
P-N结正反向接法(辨别即可)6
晶向:晶列取向,通常用晶向指数来描述
晶胞中任取一格点作为原点,则任一格点位矢R=ma+nb+pc,那么该晶列晶向指数可表示为[mnp]
晶面:晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面
平行的晶面组成晶面族密勒指数来描述晶面的方向
任选一格点为原点,以晶胞基矢a,b,c为坐标轴,晶面在坐标轴上截距r,s,t的倒数比即为密勒指数,表示为(hkl)
峰瓦数:比如,一个1m2、转换效率为18%的太阳电池,在赤道附近它的输出功率为180Wp(1000W/m2×1m2×18%)9
太阳级多晶硅原料制备流程:冶金级多晶硅制造,SiHCl3制造与纯化,SiHCl3氢气还原
直拉(CZ)法单晶硅制造流程:加料、熔化;熔接;缩颈生长;放肩生长;等晶生长;收尾生长
直拉(CZ)法单晶硅制造中碳,氧杂质分布情况:K1,意味着杂质在晶体中的浓度始终大于在熔体中的浓度,也就导致随着晶体生长杂质含量越来越少
例如:氧杂质K=1
27(换言之,就是氧杂质头部多尾部少,碳杂质头部少尾部多
磷硅玻璃成份:,13
表面制绒:硅材料制绒方法可分为干法和湿法
干法有机械刻槽,反应离子刻蚀,光刻等
湿法是传统的刻蚀方法,又被称为化学腐蚀法
1)单晶硅碱制绒(碱制绒腐蚀液:NaOH和IPANaOH,IPA,NaSiO3NaOH,乙醇)2)多晶硅酸制绒(酸制绒腐蚀液:HNO3,HF,HNO3作为氧化剂,HF是络合剂)14
减反射膜:减反射膜光学厚度为1/4入射光波长,折射率为外界介质与硅片折射率乘积的平方根
减反射膜材料的选择标准:减反射膜厚度及折射率是减反射膜制备