习题1一、单项选择题1．用基本放大电路组成两级放大电路，要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用（），第二级应采用共射电路。B、共集电路2．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）。B、电压并联负反馈3．PN结正向偏置时，其内电场被（）。A、削弱4．在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。A、3价元素5．半导体二极管加正向电压时，有（）。A、电流大电阻小6．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。B、变窄7．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则这只三极管是（）A、NPN型硅管8．PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流A、大于9．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。C、共模抑制比大二、填空题1．二极管的正向电阻小；反向电阻大。2．二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。3．场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好。4．影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。5．通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路，输出级大多采用共集电路。6．N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。7．常用的BJT具有电流放大作用，此时应工作在放大状态。8．PNP管共射放大电路中，输入为正弦波，输出为顶部失真，即饱和失真，原因是Q点太低。9．稳压二极管应工作在反向击穿状态。10．集成运放电路输入级常用差分放大电路，而输出级常用互补耦合电路。三、判断题1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）4.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）5.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）6.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（×）7.可以说任何放大电路都有功率放大作用。（√）8.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，发射极的电位最低。（×）9.对于电压放大器来说，输出阻抗越小，电路的带负载能力越强。（√）10.当场效应管工作于放大区时，其漏极电流ID只受栅源电压UGS的控制。（√）11.集成电路中采用直接耦合的原因是便于设计。（×）四、简答题1.试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（a）不能。因为输入信号被VBB短路。（b）可能。（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。2．在负反馈电路中，什么叫虚短和虚断？其物理实质是什么?虚短：在运放电路中，由于放大倍数很大，在保证一定输出时，输入端相当于短路，即：u+=u-虚断：在运放电路中，由于输入电阻很大，输入电流小，输入端相当于断路，即：i+=i-。习题2一、单项选择题1．三极管工作于放大状态的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏2．带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。B、增大3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，电压降为3V，这放大电路的输出电阻为（）。C、4k4．三极管电流源电路的特点是（）。B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大5．某NPN型三极管的输出特性曲线如图所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）。B、506．多级放大电路的级数越多，则其（）。A、放大倍数越大，而通频带越窄7.如图所示复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复后的约为（）。A、15008.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC并联选频网络和（）。D、同相比例运算电路9.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（）。A、积分运算电路二、填空题1．三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。2．在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。3．在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路结电容...
