第6章半导存储器和可编程逻辑器件VIP免费

A1B1A0B0+C1S1S0一、典型例题及其讲解例 8.1 可编程逻辑阵列（PLA）实现的组合逻辑电路如图 8.1 所示。（1）分析电路的功能，写出 F1~F3 的表达式；（2）若已知 A1A0，B1B0为两个两位的二进制数，试证明电路实现的是二位二进制全加运算。（3）说明电路矩阵的容量，若改用 PROM 实现此电路，则矩阵的容量又应为多？解：PLA 和 PROM 的结构大体相同 ， 不 同 的 PLA 无 论 是 “ 与 阵列”还是“或阵列”均为编程结构，而 PROM 的“与阵列”为固定的，不可编程的结构，只有“或阵列”是可编程的。因此，在实现同一函数时，PLA 通常要比 PROM 所用的矩阵容量少。1 、 根 据 图 8.1 中 PLA“ 与 ” ，“或”阵列输入，输出的关系，可直接得到输出函数 F1~F3的表达式，即：F1=A0B0+A0B0F2=A1A0 B1B0+A1 A0 B1 B0+A1A0⋅B1+A1⋅A0 B1+A1B1⋅B0+A1B1B0F3=A1B1+A1 A0B0+A0 B1 B02、若 A1A0，B1B0为两位二进制的加数，则满足运算规则 其中 {S0=A0⊕B0¿{S1=A1⊕B1⊕C0¿{C1=A1B1+(A1⊕B1)C0¿¿¿¿ 将S0 S1C1写成“与”“或”式有：{S0=A0B0+A0B0¿{S1=A1A0B1B0+A1A0B1B0+A1A0B1+A1A0B1+A1B1B0+A1B1B0¿¿¿¿ (8.1) ∴F1=S0 F2=S1 F3=C1 故电路实现的是两位二进制全加器3、由图 8.1 电路可知，矩阵的容量为8×11+3×11=121（存储单元）的逻辑电路若用 PROM 实现，则“与阵列”应为全译码阵列，这时矩阵容量应为：8×16+3×16=176（存储单元）例 8.2 用 ROM 设计组合逻辑电路，已知函数 F1~F4 为：F1( ABCD)=A⋅B+B⋅D+AC D+BCDF2( ABCD)=A⋅D+BC D+A B⋅C DF3( ABCD)=A BC+ACD+AC D+ABCF4(ABCD)=AC+AC+B+D试用 PROM 实现上述函数，并画出相应的电路解：用 PROM 实现逻辑函数，一般的步骤为：（1）确定输入变量数和输出端个数；（2）将函数化为最小项元和∑ mi 的形式；（3）确定各存储单元的内容；（4）画出相应的电路。由本题给定的条件，函数F1~F4 写成最小项之和的形式为：F1=∑m(0.1.2.3.7.8.9.10.13.15)F2=∑m(0.2.4.6.9.14)F3=∑m(3.4.5.7.9.13.14.15)F4=∑m(0.1.2.3.4.6.7.8.9.10.11.12.13.14)矩阵的容量为：8×16+4×16=192（存储单元）根据 PROM 的“与阵列”固定，“或阵列”可编程的特点，可知与阵列为全译码阵列，或阵列由上述 F1~F4的函数式决定。用 PROM 实现的函数 F1~F4的电路见图 8.2 所示。例 8.3 试 用 PLA 电 路 设计一个 8421B...