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《 模拟电子技术 》综合复习资料第一章 常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是 [ A ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 2V 6VD.PNP 型锗管 1.3V 2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和 B.放大C.截止 D.已损坏 3、 在如下图所示电路中，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。若把电源电压调整到 V=10V，则电流的大小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流 ICBO将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数 β B.最大整流电流 IF C.集电极最大允许电流 ICM D.集电极最大允许耗散功率 PCM 8、 温度升高时，三极管的 β 值将 [ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在 N 型半导体中，多数载流子是 [ A ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 l1l2l3T①②③11、 在 P 型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。2、温度升高时，晶体管的电流放大系数 β 增大 ，反向饱和电流 ICBO 增大 ，正向结电压UBE 变小 。(a.变大，d.变小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度 等于 空穴浓度；4、在 P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度；5、在 N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度。4、二极管的最主要特性是 单向导电性 。5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。三、判断对错1、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ⅹ）2、P 型半导体带...