A 1.中文 ：暗饱和电流英文 ：Dark Saturation Current 解释 ：没有光照的条件下，将PN 结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质在以下的理想二极管公式中，I =流过二极管的总电流; I0 = “暗饱和电流” , V = 加在二极管两端的电压B 1.中文 ：包装密度英文 ：Packing density 解释 ：组件中被太阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度2.中文 ：背电场英文 ：Back Surface Field 解释 ：在电池背面由于重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面3.中文 ：背面反射 /底面反射英文 ：Rear Surface Reflection 解释 ：穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率4.中文 ：本底掺杂英文 ：Background Doping 解释 ：电池衬底的掺杂浓度5.中文 ：表面制绒英文 ：Surface Texturing 解释 ：用物理或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射6.中文 ：并网系统英文 ：Grid-connected Systems 解释 ：并网系统指由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池7.中文 ：薄膜太阳能电池英文 ：Thin-film Solar Cells 解释 ：薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，厚度从几微米到几十微米不等。成本较低但效率普遍较低8.中文 ：复合英文 ：Recommbination 解释 ：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。9.中文 ：表面复合速率英文 ：Surface Recombination Velocity 解释 ：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强弱。C 1.中文 ：掺杂英文 ：Doping 解释 ：在本征半导体里加入施主或受主杂质（通常是磷或硼）使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有p 型或 n 型半导体的性质2.中文 ：串联电阻英文 ：Series Resistance 解释 ：由电池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时，部分电压降在电池的串联电阻上，影响了电池输出效率D 1.中文 ：大气质量 /大气光学质量英文 ：Air Mass 解释 ：定义为 1/cos( 太阳与法线夹角） 。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的AM 值还对应不同的太阳光谱2.中文 ：带隙英文 ：Band Gap 解释 ：半导体导带与价带之间的能级差。常温下，本征硅的带隙是1.1eV...
