电力电子技术模拟试卷四（考试时间 150 分钟）一、填空题（每小题 1 分，共 14 分）1．1． 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________。2．2． 功率集成电路 PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________。3．3． 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm等于________________，设 U2为相电压有效值。4．4 ． 同 一 晶 闸 管 ， 维 持 电 流 IH 与 擎 住 电 流 IL 的 数 值 大 小 上 有IL_____________IH。5．5． 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值________________。6．6． 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是__________________措施。7．7． 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有_______________二种方式。8．8 ． 晶 闸 管 断 态 不 重 复 电 压 UDSN 与 转 折 电 压 UBO 数 值 大 小 上 应 为 ，UDSM____________UBO。9．9． 抑制过电压的方法之一是用______________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。10．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是____________________。11．改变 SPWM 逆变器中的调制比，可以改变_______________的幅值。12．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_______________。14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__________________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。二、单项选择题(每小题 1 分，共 16 分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。15．功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）① 一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止16．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )① 大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管17．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（ ）① 干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号18．当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ ）① 导通状态 ②关断状态 ③饱和...
