N沟道和P沟道MOS管VIP免费

MOS/CMOS 集成电路简介及N 沟道MOS 管和P 沟道MOS 管 在实际项目中，我们基本都用增强型mos 管，分为N 沟道和P 沟道两种。 我们常用的是 NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS 管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低 端驱动），只要栅极电压达到4V 或10V 就可以了。 PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 2.MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3.MOS 管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使 MOS 管导通不需要电流，只要GS 电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极 电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC 大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动...