光刻工艺基础知识PHOTO 光刻工艺基础知识PHOTO （注：引用资料） 光刻工艺基础知识 PHOTO PHOTO 流程？ 答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD 量测→Overlay 量测 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 搭：Photoresist(光阻）。是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩(Reticle）上传递到Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻？ 答:正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除. 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy，光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程. Photo 主要流程为何？ 答： Photo 的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake， 曝光，PEB，显影,Hard Bake等。 何谓PHOTO 区之前处理? 答：在Wafer 上涂布光阻之前，需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake 将Wafer 表面吸收的水分去除，然后进行HDMS（六甲基乙硅氮烷,以增加光阻与晶体表面附着的能力)工作,以使Wafer 表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴(Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer 表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。 何谓Soft Bake？ 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程. 何谓PEB（Post Exposure Bake)？ 答:PEB 是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake 的过程.其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影？ 答:显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程,通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake？ 答：Hard Bake 是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer 上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程...
