SDRAM 有两种刷新方式：au to refresh 和 self refresh，前者是在其使用过程当中每隔一段时间发出刷新指令，SDRAM 刷新一行，self refresh 是在省电模式时使用，那么这个self refresh 模式的时间长短有没有限制？在这个器件内sdram是把整个芯片都刷新了一遍还是只是刷新其中的一部分？ 那位对这个东东清楚，给讲解一下，谢谢了！！ 这个 self refresh 模式的时间长短有限制的，>tRAS 就可以了 SDRAM 内存模组的物理 Bank 与芯片位宽 虽然有关内存结构与时序的基础概念，在本刊 2001 年第 2 期的专题中就已有阐述，但在这里为了保证专题的可读性，我们需要再次加强这方面的系统认识。正确并深刻理解内存的基础概念，是阅读本专题的第一条件。因为即使是 RDRAM，在很多方面也是与 SDRAM 相似的，而至于DDR 与 DDR-Ⅱ、QBM 等形式的内存更是与 SDRAM 有着紧密的联系。 SDRAM 内存模组与基本结构 我们平时看到的 SDRAM 都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理 Bank 与芯片位宽。 PC133 时代的 168pin SDRAM DIMM 1、 物理 Bank 传统内存系统为了保证 CPU 的正常工作，必须一次传输完 CPU 在一个传输周期内所需要的数据。而 CPU 在一个传输周期能接受的数据容量就是 CPU 数据总线的位宽，单位是 bit（位）。当时控制内存与 CPU 之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于 CPU 数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理 Bank（Physical Bank，下文简称 P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成 P-Bank 来与 CPU 打交道。资格稍老的玩家应该还记得 Pentium刚上市时，需要两条 72pin 的 SIMM 才能启动，因为一条 72pin -SIMM 只能提供 32bit 的位宽，不能满足 Pentium 的 64bit 数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM 上市后，才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释 P-Bank 的概念。 不过要强调一点，P-Bank 是 SDRAM 及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM 中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500 那样的并发式多通道 DDR 系统，传统的 P-Bank 概念也不适用。 2、 芯片位宽 上文已经讲到 SDRAM 内存系统必须要组成一个 P-Bank 的位宽，才能使 CPU正常工作，那么这个 P-Bank 位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。 每个内存芯片也有自...
