专业术语1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2. acceptor:受主，如 B,掺入 Si 中需要接受电子3. ACCESS：—个 EDA(EngineeringDataAnalysis)系统4. Acid:酸5. Activedevice：有源器件，如 MOSFET(非线性，可以对信号放大)6. Alignmark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia：氨水10. Ammoniumfluoride：NH4F11. Ammoniumhydroxide：NH4OH12. Amorphoussilicon:a-Si，非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom：A(1E-10m)埃15. Anisotropic：各向异性(如 POLYETCH)16. AQL(AcceptanceQualityLevel):接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求—定时间后的失效率)17. ARC(Antireflectivecoating):抗反射层(用于METAL 等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon（Ar）氩20. Arsenic（As）砷21. Arsenictrioxide（As2O3）三氧化二砷22. Arsine（AsH3）23. Asher:去胶机24. Aspectration：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比）25. Autodoping:自搀杂（外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Backend：后段（CONTACT 以后、PCM 测试前）27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如 POLYCD 为多晶条宽。32. Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33. Chemical-mechanicalpolish（CMP）:化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34. Chemicalvapordeposition（CVD）:化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35. Chip：碎片或芯片。36. CIM：computer-integratedmanufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。37. Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38. Cleanroom：—种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39. Compensationdoping:补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。40. CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor 的缩写。—种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41. Computer-aideddesign（CAD）:计算机辅助设计。42. Conductivitytype：传导类型，由多数载流子...
