PECVD：等离子增强化学气相淀积，英文全称为 Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 目录： 一、镀膜原理 二、管式 PECVD 镀膜的各工艺参数具体控制范围 三、PECVD 膜的作用、简述膜的特性
四、常见的异常情况 管 P 部分 平板部分 一、镀膜原理 所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态
等离子体在化学气相沉积中有如下作用： (1)
将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度； (2)
加速反应物在基片表面的扩散作用（表面迁移作用），提高成膜速度； (3)
对于基体表面及膜层表面具有溅射清洗作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，从而加强了形成的薄膜和基片的附着力； (4)
由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均匀 间接等离子：等离子没有直接和硅片接触（ Roth&Rau, 岛津 ） 直接等离子：等离子直接接触硅片( Centrotherm ) 间接等离子 直接等离子 等离子不直接接触硅片 等离子直接接触硅片，会对硅片表面造成轰击 等离子高能量密度 等离子低能量密度 高效的间接激活方式 point-of-use 的激活方式 dow nstream 丧失有活性的反应物 dow nstream 短，反应物可以被激活 高频限制沉积区域 低频可以满足较大的沉积区域 存在混合和沉积的均匀性问题 混合和沉积降至最低的不均匀 硅片不会影响等离子的控制 硅片会影响等离子的控制，会造成色差等影响 没有等离子加热 等离子加热硅片，钝化效果会加强 只会由于机器本身产生色差片 除了机器本身，还有其他原因产生色差片 原理： 管式 PECVD 的原理就是通过脉冲射频激发受热的稀薄气体进行辉光放
