NAND 闪存概述NAND 闪存基本单元1 .NAND 单元结构最流行的Flash 存储器的存储方式是基于一种叫做Floating Gate（FG）的技术，可以参考下面的横截图，一个MOS 管是由两个重叠的门组成：第一个是完全被氧化物所包围；而第二个则是被连接到外面。这个单独的门就相当于构成了一个电子隔离带，这样就保证存在里面的电子（数据）能够保留很多年。对这个被隔离起来的部分进行充电和放电的过程就叫做program 和erase。由于进行了充放电，所以这个隔离起来的部分内部的电势Vth 就会被改变；这就是一个典型的MOS 管工作原理。当我们对一个存储单元施加上一个电压的时候，我们就可以分别处两种情况：当我们施加的电压比Vth 高的时候便被识别为“1”，否则就被识别为“0”。书中这部分讲的实在过于简单，而后面章节更详细的论述又穿插了大量的公式计算，我这水平只能补充一些白话文了。先看看书 2 怎么讲的。NAND 闪存内部存储结构单元是基于MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效应晶体管），与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极（控制栅）与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。数据在NAND Flas h 闪存中是以电荷的形式存储的，存储的电荷的多少，取决于控制栅极所施加的电压，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以保持长时间，但是，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因是绝缘膜遭到破坏，那么闪存将失去记忆。另外热能会使电荷以某种概率发生消减，因此数据保存的时间还受到温度（辐射等）的影响。闪存数据的写入和擦除是通过主板与控制栅之间电荷的诸如与释放来进行的。在写入方式上，NOR Flas h 采用的是热电子注入方式，通过在写入的时候提高控制栅的电压，通过源极向浮置栅注入电荷，电流从浮置栅极到源极；而 NAND Flas h 闪存利用F-N 隧道效应，通过硅基层给浮置栅充电，电流从浮置栅极到硅基层。而数据的擦除两种闪存都是利用F-N 隧道效应放电，具体可以通过两种方法进行。一种方法是通过给源极加上+12V 左右的高电压，释放浮置栅中的电荷；另一种方法是负极门擦除法，通过给控制栅-10V 左右的负电压，挤出浮置栅中的电荷。读取数据的时候给控制栅加读取电压，对于浮置栅中有电荷的单元来讲，浮置栅中的电荷可抵消提供给控制栅的电压，造成阈值电压增高。与浮置栅中没有电荷时的情况相比，如果不给控制栅提供高电压，则漏极-源极之间不会处于导通的状态。因此，通过判断，通过向控制...
