外延生长工艺原理VIP免费

外延生长：在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，单晶取向外延生长：在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，单晶取向值取决于源衬底的结晶晶向。值取决于源衬底的结晶晶向。同质外延当衬底与外延层具有相同材料同质外延当衬底与外延层具有相同材料异质外延异质外延外延结外延结扩散结扩散结外延形成的外延形成的PNPN结不是通过杂质补偿形成的，接近于理想结不是通过杂质补偿形成的，接近于理想的突变结的突变结外延层的优点外延层的优点可以获得理想高质量的硅材料可以获得理想高质量的硅材料在单晶材料加工过程中，不可避免地引入严重的表面在单晶材料加工过程中，不可避免地引入严重的表面机械损伤及表面自吸附足够多的杂质，虽然经历了切割，机械损伤及表面自吸附足够多的杂质，虽然经历了切割，研磨和抛光，也许能达到很好的光洁度和平整度，但是也研磨和抛光，也许能达到很好的光洁度和平整度，但是也存在肉眼看不见的缺陷。存在肉眼看不见的缺陷。可以解决击穿电压和集电区串联电阻之间的可以解决击穿电压和集电区串联电阻之间的矛盾矛盾外延晶层制备技术的灵活性由利于提高外延晶层制备技术的灵活性由利于提高ICIC集成度集成度实现隔离技术：由于在进行隔离墙扩散时，横向扩散与实现隔离技术：由于在进行隔离墙扩散时，横向扩散与纵向扩散的距离几乎相等，如果外延层较厚，相应的增加纵向扩散的距离几乎相等，如果外延层较厚，相应的增加了横向扩散的距离，降低了集成度。了横向扩散的距离，降低了集成度。有利于提高少子寿命，降低有利于提高少子寿命，降低ICIC存储单元的漏电流存储单元的漏电流集成电路的有源区在高温的条件下常会诱生处大量的热集成电路的有源区在高温的条件下常会诱生处大量的热缺陷和微缺陷，这些缺陷加速了金属杂质的扩散，杂质缺陷和微缺陷，这些缺陷加速了金属杂质的扩散，杂质与微缺陷相互作用，导致漏电流增大，发生低击穿现象，与微缺陷相互作用，导致漏电流增大，发生低击穿现象，功耗增大，成品率降低。功耗增大，成品率降低。外延技术用于外延技术用于MOSMOS器件集成化可显著提高电路的器件集成化可显著提高电路的速度速度提高电阻率可以提高载流子的迁移率，从而增大了提高电阻率可以提高载流子的迁移率，从而增大了MOSMOS电路的充放电电流，缩短了充放电时间，提高工作速电路的充放电电流，缩短了充放电时间，提高工作速度。度。减小减小MOSMOS器件的电容效应，高电阻率的外延层使器件器件的电容效应，高电阻率的外延层使器件的寄生电容，扩散电容均减小，缩短了充放电时间。的寄生电容，扩散电容均减小，缩短了充放电时间。可以解决可以解决CMOSCMOS集成电路的闭锁效应集成电路的闭锁效应CMOSCMOS闭锁效应闭锁效应CMOS倒相器中的寄生元器件结构外延方法外延方法物理气相外延蒸发溅射，化学气相外延通过物理气相外延蒸发溅射，化学气相外延通过化学反应来激活或强化生长的过程化学反应来激活或强化生长的过程液相外延液相外延金属有机金属有机CVDCVD淀积金属以及氧化物的多晶或无定型膜淀积金属以及氧化物的多晶或无定型膜分子束外延淀积分子束外延淀积GaAsGaAs异质外延层异质外延层硅气相外延硅气相外延利用硅的气态化合物，经过化学反应在硅的表面生长一层利用硅的气态化合物，经过化学反应在硅的表面生长一层单晶硅，单晶硅，SiCl4SiCl4＋＋2H22H2＝＝SiSi＋＋4HCl4HCl。。反应设备反应设备采用卧室的反应器由石英反应腔，石墨基座，高频感采用卧室的反应器由石英反应腔，石墨基座，高频感应加热系统等应加热系统等反应流程反应流程装片装片通氢气清除石英管内中空气通氢气清除石英管内中空气升温，一般为升温，一般为11001100－－1200℃1200℃通氢气消除表面氧化层或通氢气消除表面氧化层或HClHCl去除表面损伤层。去除表面损伤层。去除去除HClHCl和杂质和杂质通氢气及掺杂源，获得经过掺杂的硅层通氢气及掺杂源，获得经过掺杂的硅层关闭氢气，恒温数分钟。关闭氢气，恒温数分钟。缓慢降温，缓慢降温，300℃300℃下可以取片下可以取片采用采用RFRF射频加热的理由：射频加热的理由：11、升...