正文： 有关内存优化的文章其实已经有很多了，可能大家都没觉得没什么了不起的，不就是那几个参数吗
但是，我相信 90% 以上的人并没有完全真正理解那些时序参数的含义
我敢说，目前很多的优化原则都是有问题的，甚至有误导的倾向
本人在此之前曾有一篇专门探讨内存原理与相关参数的大型专题（文章发表于《电脑高手》），其中所讲到的一些原理其实对优化就有很大的启发意义
的确，虽然在 BIOS 中就是那么几个可以调节的内存时序参数，但如果不正确了解它们的意思，并不是每个人都知道如何正确的调节
有人可能会说，这有什么难的，与时序相关的时序参数，肯定都是越小越好呀，错
这就是我今天要着重讲到的问题
1、认识内存相关工作流程与参数 首先，我们还是先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用
这部分的讲述以 SDRAM为例，因为时序图看起来会简单一些，但相关概念与 DDR SDRAM的基本相同
SDRAM的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格
和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理
对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢
它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）
SDRAM 内部L-Bank 示意图，这是一个 8X8 的阵列，B 代表 L-Bank 地址编号，C 代表列地址编号，R 代表行地址编号
如果寻址命令是 B1、R2、C6，就能确定地址是图中红格的位置 目前的内存芯片基本上都是 4个 L-Bank设计，也就是说一共有 4个这样的“表格”
寻址的流程也就是——先指定 L-Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最终的确寻址单元
在实际工作中，L-Bank地址与
